Infineon PVT412 Leiterplattenmontage Halbleiterausgang, SPST 400 V / 210 A
- RS Best.-Nr.:
- 218-6327
- Herst. Teile-Nr.:
- PVT412S-TPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | CHF.5.969 | CHF.29.85 |
| 10 - 95 | CHF.5.474 | CHF.27.36 |
| 100 - 245 | CHF.5.05 | CHF.25.26 |
| 250 - 495 | CHF.4.686 | CHF.23.45 |
| 500 + | CHF.4.555 | CHF.22.80 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 218-6327
- Herst. Teile-Nr.:
- PVT412S-TPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Halbleiterausgang | |
| Laststrom max | 210A | |
| Montageart | Leiterplattenmontage | |
| Lastspannung max | 400V | |
| Lastspannung min | 0V | |
| Serie | PVT412 | |
| Anschlusstyp | Durchsteckmontage | |
| Kontakt Konfiguration | SPST | |
| Widerstand im eingeschalteten Zustand | 27Ω | |
| Schaltfunktion | AC/DC schaltend | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Gehäusegröße | DIP-6 | |
| Normen/Zulassungen | FCC Part 68 | |
| Ausgangstyp | MOSFET | |
| Leckstrom im "Aus"-Zustand | 1μA | |
| Kapazität | 12pF | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Halbleiterausgang | ||
Laststrom max 210A | ||
Montageart Leiterplattenmontage | ||
Lastspannung max 400V | ||
Lastspannung min 0V | ||
Serie PVT412 | ||
Anschlusstyp Durchsteckmontage | ||
Kontakt Konfiguration SPST | ||
Widerstand im eingeschalteten Zustand 27Ω | ||
Schaltfunktion AC/DC schaltend | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Gehäusegröße DIP-6 | ||
Normen/Zulassungen FCC Part 68 | ||
Ausgangstyp MOSFET | ||
Leckstrom im "Aus"-Zustand 1μA | ||
Kapazität 12pF | ||
Das Infineon Photovoltaik-Relais, einpolig, normalerweise offenes Halbleiterrelais, das in vielen Anwendungen elektromechanische Relais ersetzen kann. Er wird hauptsächlich in Ringrelais, Ausgangsrelais und allgemeinen Schaltanwendungen verwendet.
Zuverlässigkeit von Halbleitern
Laststrombegrenzung
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