Panasonic AQY Oberfläche Halbleiterausgang, SPST 30 V ac/dc / 1 A
- RS Best.-Nr.:
- 247-4241
- Herst. Teile-Nr.:
- AQY211EHAX
- Marke:
- Panasonic
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- AQY211EHAX
- Marke:
- Panasonic
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Panasonic | |
| Produkt Typ | Halbleiterausgang | |
| Laststrom max | 1A | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Lastspannung max | 30V ac/dc | |
| Serie | AQY | |
| Anschlusstyp | Durchsteckmontage | |
| Kontakt Konfiguration | SPST | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Schaltfunktion | AC/DC schaltend | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Höhe | 2.9mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Kapazität | 0.8pF | |
| Leckstrom im "Aus"-Zustand | 10nA | |
| Ausgangstyp | MOSFET | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Panasonic | ||
Produkt Typ Halbleiterausgang | ||
Laststrom max 1A | ||
Montageart Oberfläche | ||
Lastspannung max 30V ac/dc | ||
Serie AQY | ||
Anschlusstyp Durchsteckmontage | ||
Kontakt Konfiguration SPST | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Schaltfunktion AC/DC schaltend | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Höhe 2.9mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Kapazität 0.8pF | ||
Leckstrom im "Aus"-Zustand 10nA | ||
Ausgangstyp MOSFET | ||
- Ursprungsland:
- TH
Die PhotoMOS-Relais von Panasonic sind Mosfet-fähige Halbleiterrelais, die sich durch einen geringen Leckstrom im Aus-Zustand und einen stabilen Ein-Widerstand über die gesamte Lebensdauer der Komponenten auszeichnen. Diese Relais bieten niedrige CxR-Werte, eine hohe optische Isolierung zwischen Eingang und Ausgang sowie DC- und AC/DC-Lastwerte. Zu den Merkmalen gehören eine hohe Schaltgeschwindigkeit, eine lange Lebensdauer und eine hohe Vibrations- und Stoßfestigkeit ohne Lichtbogenbildung, Prellen oder Schaltgeräusche. Die Betriebsspannung und der Strom für dieses Relais betragen 30 V bzw. 1000 mA.
Hohe E/A-Isolationsspannung von 5.000 V
Steuert analoge Signale mit niedrigem Pegel, hoher Empfindlichkeit und geringem Einschaltwiderstand
Niedriger Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von max. 1 μA
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