Omron G3DZ THT Halbleiterrelais, 1-poliger Schließer 264 V ac / 0,6 A
- RS Best.-Nr.:
- 365-0636
- Herst. Teile-Nr.:
- G3DZ-2R6PL DC12
- Marke:
- Omron
Mengenrabatt verfügbar
Preis pro Stück**
CHF.26.996
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 4 | CHF.26.996 |
| 5 - 11 | CHF.26.177 |
| 12 + | CHF.25.316 |
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- RS Best.-Nr.:
- 365-0636
- Herst. Teile-Nr.:
- G3DZ-2R6PL DC12
- Marke:
- Omron
Halbleiterrelais G3DZ
Diese MOSFET-Leistungsrelais für Leiterplattenmontage bieten einen maximalen Schaltstrom von 0,6 A und eignen sich für das Schalten von Halbwellen- und Vollwellen-Wechselströmen.
Halbleiterrelais in der Größe identisch mit Serie G6D (Best.-Nr. 512-9320 usw.) mit einem maximalen ac/dc-Schaltstrom von 0,6 A
Schalten von Voll- und Halbwellenströmen
Max. Leckstrom: 10 μA
Ausgangswiderstand bei ON: 2.4 Ω
2.500 Vac Durchschlagsfestigkeit zwischen Ein- und Ausgangsklemmen
Eingangswiderstand und Varistor integriert
Einphasen-Anschlussleitung zu Nullleiter
Siehe Best.-Nr. 376-717 für eine geeignete Leiterplattenbuchse
Betriebstemperaturbereich: -30 bis +85 °C
Schalten von Voll- und Halbwellenströmen
Max. Leckstrom: 10 μA
Ausgangswiderstand bei ON: 2.4 Ω
2.500 Vac Durchschlagsfestigkeit zwischen Ein- und Ausgangsklemmen
Eingangswiderstand und Varistor integriert
Einphasen-Anschlussleitung zu Nullleiter
Siehe Best.-Nr. 376-717 für eine geeignete Leiterplattenbuchse
Betriebstemperaturbereich: -30 bis +85 °C
Halbleiter-Leistungsrelais Omron G3DZ-2R6PL-DC12 MOSFET für Leiterplattenmontage.
Das Halbleiterrelais G3DZ hat die gleiche Größe wie das G6D mit max. 0,6 A ac/dc Strom.
• Schalten: 0,6 A bei 240 V ac oder 100 V dc
• 10 μA maximaler Leckstrom (zwischen geöffneten Klemmen).
• Mit einem Eingangswiderstand
• Überspannungs-Aufnahmestromkreis (nur AC/DC-Modelle).
• Voll- und Halbwellengleichrichtung. Wechselstrom umschaltbar.
• Leiterplattenmontage
• MOSFET
• Mit Eingangswiderstand.
• Standardmodelle erhältlich mit UL- und CSA-Zulassung.
• RoHS-konform.
• 10 μA maximaler Leckstrom (zwischen geöffneten Klemmen).
• Mit einem Eingangswiderstand
• Überspannungs-Aufnahmestromkreis (nur AC/DC-Modelle).
• Voll- und Halbwellengleichrichtung. Wechselstrom umschaltbar.
• Leiterplattenmontage
• MOSFET
• Mit Eingangswiderstand.
• Standardmodelle erhältlich mit UL- und CSA-Zulassung.
• RoHS-konform.
Eigenschaften und Vorteile des MOSFET-Halbleiterrelais für Leiterplattenmontage.
• Isolations-Foto-Spannungskoppler.
• Keine Nulldurchgangsfunktion.
• Keine Anzeigen.
• Nennausgangslast 0,6 A, 5 bis 240 V ac, 5 bis 100 V dc.
• Nenneingangsspannung: 12 V dc
• Betriebsspannung: 9,6 bis 14,4 V dc
• Abfallspannung: 1 V dc min.
• Impedanz: 2 kΩ +20 %.
• Abfallspannung: 1 V dc.
• Anzugsspannung: 9,6 V dc max.
• Nennlastspannung: 5 bis 240 V ac, 5 bis 100 V dc.
• Lastspannungsbereich: 3 bis 264 V ac, 3 bis 125 V dc.
• Laststrom AC = 100 μ bis 0,6 A, DC = 10 μA bis 0,6 A.
• Einschaltstrom: 6 A (10 ms).
• Keine Nulldurchgangsfunktion.
• Keine Anzeigen.
• Nennausgangslast 0,6 A, 5 bis 240 V ac, 5 bis 100 V dc.
• Nenneingangsspannung: 12 V dc
• Betriebsspannung: 9,6 bis 14,4 V dc
• Abfallspannung: 1 V dc min.
• Impedanz: 2 kΩ +20 %.
• Abfallspannung: 1 V dc.
• Anzugsspannung: 9,6 V dc max.
• Nennlastspannung: 5 bis 240 V ac, 5 bis 100 V dc.
• Lastspannungsbereich: 3 bis 264 V ac, 3 bis 125 V dc.
• Laststrom AC = 100 μ bis 0,6 A, DC = 10 μA bis 0,6 A.
• Einschaltstrom: 6 A (10 ms).
Zusatzmerkmale des Halbleiterrelais G3DZ-2R6PL-DC12 MOSFET für Leiterplattenmontage.
• Reaktionszeit: 6 ms max.
• Freigabezeit: 10 ms max.
• Ausgangswiderstand im eingeschalteten Zustand: 2,4 Ω max.
• Leckstrom im abgeschalteten Zustand: 10 μA max. (125 V dc), 100 μA max. (200 V ac).
• Vibrationsfestigkeit: 10 bis 55 bis 10 Hz, 0,75 mm eine Amplitude (1,5 mm zwei Amplituden).
• Stoßfestigkeit: 1000 m/s².
• Gewicht: ca. 3,1 g
• Freigabezeit: 10 ms max.
• Ausgangswiderstand im eingeschalteten Zustand: 2,4 Ω max.
• Leckstrom im abgeschalteten Zustand: 10 μA max. (125 V dc), 100 μA max. (200 V ac).
• Vibrationsfestigkeit: 10 bis 55 bis 10 Hz, 0,75 mm eine Amplitude (1,5 mm zwei Amplituden).
• Stoßfestigkeit: 1000 m/s².
• Gewicht: ca. 3,1 g
Sicherheitshinweise.
• Die Leiterplatte nicht reinigen oder löten, wenn sich das Halbleiterrelais im Sockel befindet.
• Umgekehrte Überspannung – Wenn diese an den Eingangsklemmen anliegt, muss eine Diode parallel zur Eingangsklemme eingesetzt werden. KEINE umgekehrte Spannung von mehr als 3 V anlegen.
• Der Klemmenwerkstoff hat eine hohe Wärmeinduktion so dass jedes automatische oder manuelle Löten innerhalb von 10 Sekunden bei 260 °C durchgeführt werden sollte.
• Beim Einbau eines Sockels ist sicherzustellen, dass er richtig passt, und er muss durch senkrechtes Drücken (gerade nach unten) eingesetzt werden.
• Umgekehrte Überspannung – Wenn diese an den Eingangsklemmen anliegt, muss eine Diode parallel zur Eingangsklemme eingesetzt werden. KEINE umgekehrte Spannung von mehr als 3 V anlegen.
• Der Klemmenwerkstoff hat eine hohe Wärmeinduktion so dass jedes automatische oder manuelle Löten innerhalb von 10 Sekunden bei 260 °C durchgeführt werden sollte.
• Beim Einbau eines Sockels ist sicherzustellen, dass er richtig passt, und er muss durch senkrechtes Drücken (gerade nach unten) eingesetzt werden.
Geeigneter Isolierungssockel.
• Teilenummer P6D-04P. Best.-Nr. 376717.
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Laststrom max. | 0,6 A |
| Montage Typ | Leiterplattenmontage |
| Lastspannung max. | 264 V ac |
| Steuerspannung max. | 12 V dc |
| Steuerspannungsbereich | 9,6 → 14,4 V Gleichstrom |
| Laststrom min. | 100μA |
| Anschluss Typ | Durchsteckmontage |
| Kontaktanordnung | 1-poliger Schließer |
| Ausgangsschaltung | MOSFET |
| Lastspannungsbereich | 3 → 125 V dc, 3 → 264V ac |
| Einschaltzeit max. | 6ms |
| Serie | G3DZ |
| Abmessungen | 18.5 x 6.5 x 12.5mm |
| Betriebstemperatur max. | +85°C |
| Leckstrom im "Aus"-Zustand | 10 μA |
| Länge | 18.5mm |
| Betriebstemperaturbereich | -30 → +85°C |
| Höhe | 12.5mm |
| Betriebstemperatur min. | -30°C |
| Tiefe | 6.5mm |