Omron G3VM Durchsteckmontage Halbleiterausgang, SPNO 350 V ac 1.3V / 120 mA

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
480-1172
Herst. Teile-Nr.:
G3VM-351B
Marke:
Omron
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Omron

Laststrom max

120mA

Produkt Typ

Halbleiterausgang

Montageart

Durchsteckmontage

Lastspannung max

350V ac

Lastspannung min

0V ac

Steuerspannung max

1.3V

Steuerspannung min

1V

Serie

G3VM

Anschlusstyp

Leiterplatten-Anschlussklemme

Kontakt Konfiguration

SPNO

Schaltfunktion

SPST

Betriebstemperatur min.

-40°C

Widerstand im eingeschalteten Zustand

35Ω

Gehäusegröße

DIP-6

Maximale Betriebstemperatur

85°C

Breite

6.4mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

7.12mm

Höhe

3.65mm

Leckstrom im "Aus"-Zustand

50mA

Kapazität

30pF

Ausgangstyp

MOSFET


Standardserie G3VM-351B-MOSFET-SSR – Halbleiterrelais.


Das G3VM-351B-Relais ist Teil der aktualisierten G3VM-3-Serie und bietet eine Fülle von Vorteilen. Schließer-Durchsteckrelais mit DIP-Gehäuse (Dual in-Line) mit 6 Leiterplatten-Anschlussklemmen und einer Lastspannung von 350 V.


Merkmale und Vorteile des G3VM-351B-Standard-Halbleiterrelais.


• MOSFET-Halbleiterrelais.

• DIP6-Gehäuse.

• Kontaktform: 1-poliger Schließer (1a).

• Durchsteckausführung.

• Leiterplatten-Anschlussklemmen.

• 6 Relais-Anschlussklemmen.

• Lastspannung: 350 V ac.

• Laststrom: 120 (240) mA max.

• Maximaler Widerstand bei Ausgang EIN: 35 Ohm.

• Leckstrom bei Relais offen: 1000 nA max.

• Kapazität zwischen den Klemmen: 30 pF.

• Einschaltzeit: 1 ms max.

• Ausschaltzeit: 1 ms max.

• Durchschlagsfestigkeit zwischen E/A: 2500 V eff.

• RoHS-konform.


Zusätzliche Merkmale des Standard-Halbleiterrelais G3VM-351B.


• Lange Betriebslebensdauer.

• Geringer Leckstrom.

• SSR verfügt über eine ausgezeichnete Stoßfestigkeit.

• Hohe Isolierung.

• Geräuscharmer Betrieb.

• Hochgeschwindigkeitsschalten.

• Steuerung des Mikro-Analog-Signals.

G3VM MOSFET SSR


Halbleiterrelais mit MOSFET-Ausgang und Foto-LED-Eingang

Kombiniert die Vorteile der mechanischen und der Halbleitertechnologie

Geringer Einschaltwiderstand und geringe Ausgangskapazität

Langlebig

Große Auswahl an Modellen verfügbar

Ideal für Telekommunikationslösungen, einschließlich Leitungsbelegung, Umschaltung, Hakenschaltung, Leitungstransformatorsteuerung und andere Telefonfunktionen

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäss der Datenschutzerklärung verarbeitet.