Omron G3VM Durchsteckmontage Halbleiterausgang, SPNO 350 V ac 1.3V / 120 mA
- RS Best.-Nr.:
- 480-1172
- Herst. Teile-Nr.:
- G3VM-351B
- Marke:
- Omron
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- RS Best.-Nr.:
- 480-1172
- Herst. Teile-Nr.:
- G3VM-351B
- Marke:
- Omron
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Omron | |
| Laststrom max | 120mA | |
| Produkt Typ | Halbleiterausgang | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Lastspannung max | 350V ac | |
| Lastspannung min | 0V ac | |
| Steuerspannung max | 1.3V | |
| Steuerspannung min | 1V | |
| Serie | G3VM | |
| Anschlusstyp | Leiterplatten-Anschlussklemme | |
| Kontakt Konfiguration | SPNO | |
| Schaltfunktion | SPST | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Widerstand im eingeschalteten Zustand | 35Ω | |
| Gehäusegröße | DIP-6 | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Breite | 6.4mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 7.12mm | |
| Höhe | 3.65mm | |
| Leckstrom im "Aus"-Zustand | 50mA | |
| Kapazität | 30pF | |
| Ausgangstyp | MOSFET | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Omron | ||
Laststrom max 120mA | ||
Produkt Typ Halbleiterausgang | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Lastspannung max 350V ac | ||
Lastspannung min 0V ac | ||
Steuerspannung max 1.3V | ||
Steuerspannung min 1V | ||
Serie G3VM | ||
Anschlusstyp Leiterplatten-Anschlussklemme | ||
Kontakt Konfiguration SPNO | ||
Schaltfunktion SPST | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Widerstand im eingeschalteten Zustand 35Ω | ||
Gehäusegröße DIP-6 | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Breite 6.4mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 7.12mm | ||
Höhe 3.65mm | ||
Leckstrom im "Aus"-Zustand 50mA | ||
Kapazität 30pF | ||
Ausgangstyp MOSFET | ||
Standardserie G3VM-351B-MOSFET-SSR – Halbleiterrelais.
Das G3VM-351B-Relais ist Teil der aktualisierten G3VM-3-Serie und bietet eine Fülle von Vorteilen. Schließer-Durchsteckrelais mit DIP-Gehäuse (Dual in-Line) mit 6 Leiterplatten-Anschlussklemmen und einer Lastspannung von 350 V.
Merkmale und Vorteile des G3VM-351B-Standard-Halbleiterrelais.
• MOSFET-Halbleiterrelais.
• DIP6-Gehäuse.
• Kontaktform: 1-poliger Schließer (1a).
• Durchsteckausführung.
• Leiterplatten-Anschlussklemmen.
• 6 Relais-Anschlussklemmen.
• Lastspannung: 350 V ac.
• Laststrom: 120 (240) mA max.
• Maximaler Widerstand bei Ausgang EIN: 35 Ohm.
• Leckstrom bei Relais offen: 1000 nA max.
• Kapazität zwischen den Klemmen: 30 pF.
• Einschaltzeit: 1 ms max.
• Ausschaltzeit: 1 ms max.
• Durchschlagsfestigkeit zwischen E/A: 2500 V eff.
• RoHS-konform.
Zusätzliche Merkmale des Standard-Halbleiterrelais G3VM-351B.
• Lange Betriebslebensdauer.
• Geringer Leckstrom.
• SSR verfügt über eine ausgezeichnete Stoßfestigkeit.
• Hohe Isolierung.
• Geräuscharmer Betrieb.
• Hochgeschwindigkeitsschalten.
• Steuerung des Mikro-Analog-Signals.
G3VM MOSFET SSR
Halbleiterrelais mit MOSFET-Ausgang und Foto-LED-Eingang
Kombiniert die Vorteile der mechanischen und der Halbleitertechnologie
Geringer Einschaltwiderstand und geringe Ausgangskapazität
Langlebig
Große Auswahl an Modellen verfügbar
Ideal für Telekommunikationslösungen, einschließlich Leitungsbelegung, Umschaltung, Hakenschaltung, Leitungstransformatorsteuerung und andere Telefonfunktionen
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