Omron G3VM Oberfläche Halbleiterausgang, 1-poliger Schließer - Schließer 60 V ac 1.5V / 2.5 A

RS Best.-Nr.:: 683-9037
Herst. Teile-Nr.:: G3VM-61BR
Marke:: Omron

Omron G3VM Oberfläche Halbleiterausgang, 1-poliger Schließer - Schließer 60 V ac 1.5V / 2.5 A

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RS Best.-Nr.:: 683-9037
Herst. Teile-Nr.:: G3VM-61BR
Marke:: Omron

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Omron
	Laststrom max	2.5A
	Produkt Typ	Halbleiterausgang
	Montageart	Oberfläche
	Lastspannung max	60V ac
	Lastspannung min	0V ac
	Steuerspannung max	1.5V
	Steuerspannung min	1.18V
	Serie	G3VM
	Anschlusstyp	Leiterplatten-Anschlussklemme
	Kontakt Konfiguration	1-poliger Schließer - Schließer
	Betriebstemperatur min.	-20°C
	Widerstand im eingeschalteten Zustand	35Ω
	Maximale Betriebstemperatur	85°C
	Gehäusegröße	DIP-6
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Höhe	3.7mm
	Länge	7.1mm
	Kapazität	30pF
	Leckstrom im "Aus"-Zustand	30mA
	Ausgangstyp	MOSFET

	Alle auswählen
	Marke Omron
	Laststrom max 2.5A
	Produkt Typ Halbleiterausgang
	Montageart Oberfläche
	Lastspannung max 60V ac
	Lastspannung min 0V ac
	Steuerspannung max 1.5V
	Steuerspannung min 1.18V
	Serie G3VM
	Anschlusstyp Leiterplatten-Anschlussklemme
	Kontakt Konfiguration 1-poliger Schließer - Schließer
	Betriebstemperatur min. -20°C
	Widerstand im eingeschalteten Zustand 35Ω
	Maximale Betriebstemperatur 85°C
	Gehäusegröße DIP-6
	Normen/Zulassungen RoHS
	Höhe 3.7mm
	Länge 7.1mm
	Kapazität 30pF
	Leckstrom im "Aus"-Zustand 30mA
	Ausgangstyp MOSFET

Ursprungsland:: JP

Universal-MOSFET-Halbleiterrelais G3VM-61BR.

Das MOSFET-Relais G3VM-61BR bietet eine Fülle von Vorteilen, die von wartungsfreien Relais erwartet werden. 1-poliger Schließer, Durchsteckrelais mit DIP-Gehäuse (Dual In-Line) mit 6 Leiterplatten-Relais-Anschlussklemmen. Das Relais dieser Serie dient zum Schalten von analogen Kleinsignalen.

Merkmale und Vorteile des Halbleiterrelais G3VM-61BR.

• MOSFET-Halbleiterrelais.

• DIP6 (Dual in-Line).

• Kontaktform: 1-poliger Schließer 1a.

• Durchsteckrelais.

• 6 Relais-Anschlussklemmen.

• Lastspannung: 60 V

• Laststrom maximal 3000 mA.

• Maximaler Widerstand bei Ausgang EIN: 0,65 Ω.

• Leckstrom bei Relais offen: 10 nA max.

• Kapazität zwischen den Klemmen: 400 pF.

• SSR-Einschaltzeit: 1,5 ms max.

• SSR-Abschaltzeit: 0,4 ms max.

• Durchschlagsfestigkeit zwischen E/A: 2500 V eff.

• Schalten von analogen Kleinsignalen.

• RoHS-konform.

Zusätzliche Merkmale des Standard-Halbleiterrelais G3VM-61BR.

• Lange Betriebslebensdauer.

• Geringer Leckstrom.

• SSR verfügt über eine ausgezeichnete Stoßfestigkeit.

• Hoch isolierend.

• Geräuscharmer Betrieb.

• Hochgeschwindigkeitsschalten.

• Steuerung des Mikro-Analog-Signals.

• Foto-LED Eingang.

• Statusausgang.

• Kompakt

• Betriebstemperaturbereich: –20 °C bis +60 °C, keine Vereisung oder Kondensation.

Andere Anwendungsbeispiele.

• Prüf- und Messgeräte.

• Sicherheitsgeräte.

MOSFET-Halbleiterrelais G3VM

Halbleiterrelais mit MOSFET-Ausgang und Foto-LED-Eingang

Kombiniert die Vorteile von mechanischer und Festkörpertechnologie

Geringer Widerstand und geringe Ausgangskapazität

Lange Lebensdauer

Viele Modelle verfügbar

Ideal für Telekommunikations-Lösungen geeignet, einschließlich Leitungsbelegungen, Schaltungen, Gabelumschaltungen, Steuerung von Leitungstransformatoren und anderer Telefonfunktionen