Omron G3VM THT Halbleiterrelais DC, DPST 60 Vac / 0,5 A
- RS Best.-Nr.:
- 683-9047
- Herst. Teile-Nr.:
- G3VM-62C1
- Marke:
- Omron
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 683-9047
- Herst. Teile-Nr.:
- G3VM-62C1
- Marke:
- Omron
- Ursprungsland:
- JP
MOSFET-Halbleiterrelais G3VM
Halbleiterrelais mit MOSFET-Ausgang und Foto-LED-Eingang
Kombiniert die Vorteile von mechanischer und Festkörpertechnologie
Geringer Widerstand und geringe Ausgangskapazität
Lange Lebensdauer
Viele Modelle verfügbar
Ideal für Telekommunikations-Lösungen geeignet, einschließlich Leitungsbelegungen, Schaltungen, Gabelumschaltungen, Steuerung von Leitungstransformatoren und anderer Telefonfunktionen
Kombiniert die Vorteile von mechanischer und Festkörpertechnologie
Geringer Widerstand und geringe Ausgangskapazität
Lange Lebensdauer
Viele Modelle verfügbar
Ideal für Telekommunikations-Lösungen geeignet, einschließlich Leitungsbelegungen, Schaltungen, Gabelumschaltungen, Steuerung von Leitungstransformatoren und anderer Telefonfunktionen
Universal-MOSFET-Halbleiterrelais G3VM-62C1.
Das MOSFET-Relais G3VM-62C1 bietet eine Fülle von Vorteilen, die von wartungsfreien Relais erwartet werden. Relais als 2-poliger Schließer in einem Gehäuse mit 8 Anschlussstiften für Leiterplatte. Das Relais dieser Serie dient zum Schalten von analogen Kleinsignalen.
Merkmale und Vorteile des Halbleiterrelais G3VM-62C1
• MOSFET-Halbleiterrelais.
• Schlankes, 2,1 mm hohes Relais.
• SMD-Relais-Anschlussklemmen.
• DIP8 (Dual In-Line).
• Kontaktform: 2-poliger Schließer 2a.
• Strombegrenzung 100 bis 300 mA.
• Durchsteckrelais.
• Leiterplatten-Anschlussklemmen.
• 8 Relais-Anschlussklemmen.
• Lastspannung: 60 V.
• Laststrom: 500 mA max.
• Maximaler Widerstand bei Ausgang EIN: 1 Ω.
• Leckstrom bei Relais offen: 1000 nA max.
• Kapazität zwischen den Klemmen: 130 pF.
• SSR-Einschaltzeit: 2 ms max.
• SSR-Abschaltzeit: 0,5 ms max.
• Durchschlagsfestigkeit zwischen E/A: 2500 V eff.
• 2 Kanäle
• Schaltung von Minuten- und Analogsignalen.
• Niedriger Einschaltwiderstand
• RoHS-konform.
• Schlankes, 2,1 mm hohes Relais.
• SMD-Relais-Anschlussklemmen.
• DIP8 (Dual In-Line).
• Kontaktform: 2-poliger Schließer 2a.
• Strombegrenzung 100 bis 300 mA.
• Durchsteckrelais.
• Leiterplatten-Anschlussklemmen.
• 8 Relais-Anschlussklemmen.
• Lastspannung: 60 V.
• Laststrom: 500 mA max.
• Maximaler Widerstand bei Ausgang EIN: 1 Ω.
• Leckstrom bei Relais offen: 1000 nA max.
• Kapazität zwischen den Klemmen: 130 pF.
• SSR-Einschaltzeit: 2 ms max.
• SSR-Abschaltzeit: 0,5 ms max.
• Durchschlagsfestigkeit zwischen E/A: 2500 V eff.
• 2 Kanäle
• Schaltung von Minuten- und Analogsignalen.
• Niedriger Einschaltwiderstand
• RoHS-konform.
Zusätzliche Merkmale des Universal-Halbleiterrelais G3VM-62C1
• Lange Betriebslebensdauer.
• Geringer Leckstrom.
• SSR verfügt über eine ausgezeichnete Stoßfestigkeit.
• Hohe Isolierung.
• Geräuscharmer Betrieb.
• Hochgeschwindigkeitsschalten.
• Steuerung des Mikro-Analog-Signals.
• Foto-LED-Eingang.
• Statusausgang.
• Kompakt
• Betriebstemperaturbereich: -20°C bis +65°C, keine Vereisung oder Kondensation.
• Geringer Leckstrom.
• SSR verfügt über eine ausgezeichnete Stoßfestigkeit.
• Hohe Isolierung.
• Geräuscharmer Betrieb.
• Hochgeschwindigkeitsschalten.
• Steuerung des Mikro-Analog-Signals.
• Foto-LED-Eingang.
• Statusausgang.
• Kompakt
• Betriebstemperaturbereich: -20°C bis +65°C, keine Vereisung oder Kondensation.
Andere Anwendungsbeispiele.
• Prüf- und Messgeräte.
• Sicherheitsgeräte.
• Sicherheitsgeräte.
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Laststrom max. | 0,5 A |
Montage Typ | Leiterplattenmontage |
Lastspannung max. | 60 Vac |
Lastspannung min. | 0 Vac |
Steuerspannung max. | 1,3 V |
Schalttyp | DC |
Steuerspannungsbereich | Max. 1,3 V |
Laststrom min. | 500 mA |
Anschluss Typ | Leiterplattenstift |
Kontaktanordnung | DPST |
Ausgangsschaltung | MOSFET |
Gehäuseform | PDIP |
Lastspannungsbereich | 0 → 60V ac |
Serie | G3VM |
Abmessungen | 9.66 x 6.4 x 3.65mm |
Höhe | 3.7mm |
Betriebstemperatur min. | -40°C |
Betriebstemperatur max. | +85°C |
Länge | 9.7mm |
Leckstrom im "Aus"-Zustand | 50 mA |
Betriebstemperaturbereich | -40 → +85°C |
Tiefe | 6.4mm |