ROHM IGBT / 50 A, 650 V 276 W, 3-Pin TO-247GE Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 265-328
- Herst. Teile-Nr.:
- RGTV00TS65DGC13
- Marke:
- ROHM
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- RS Best.-Nr.:
- 265-328
- Herst. Teile-Nr.:
- RGTV00TS65DGC13
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 50A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 276W | |
| Gehäusegröße | TO-247GE | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±30 V | |
| Betriebstemperatur min. | 40°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.9V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 50A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 276W | ||
Gehäusegröße TO-247GE | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±30 V | ||
Betriebstemperatur min. 40°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.9V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der ROHM 650V 50A Field Stop Trench IGBT ist für Hochleistungsanwendungen konzipiert und zeichnet sich durch eine niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung aus, die den Wirkungsgrad erhöht. Er bietet hohe Schaltgeschwindigkeiten bei geringen Schaltverlusten und ist damit ideal für Anwendungen, die schnelle Übergänge erfordern. Darüber hinaus verfügt dieser IGBT über eine Kurzschlussfestigkeit von 2 Mikrosekunden und bietet damit robusten Schutz und Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Umgebungen.
Pb-freie Bleibeschichtung
RoHS-Konformität
Eingebauter sehr schneller und sanfter Rückgewinnungsprozess FRD
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