onsemi IGBT / 30 A 3-phasig, 650 V 113 W, 39-Pin DIP-39 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 277-038P
- Herst. Teile-Nr.:
- NFAM3065L4BL
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|
| 10 - 99 | CHF.27.02 |
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- RS Best.-Nr.:
- 277-038P
- Herst. Teile-Nr.:
- NFAM3065L4BL
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 30A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 113W | |
| Anzahl an Transistoren | 6 | |
| Konfiguration | 3-phasig | |
| Gehäusegröße | DIP-39 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 39 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 5.6mm | |
| Normen/Zulassungen | Pb-Free, UL1557 (File No.339285), RoHS | |
| Länge | 54.5mm | |
| Breite | 31 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 30A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 113W | ||
Anzahl an Transistoren 6 | ||
Konfiguration 3-phasig | ||
Gehäusegröße DIP-39 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 39 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 5.6mm | ||
Normen/Zulassungen Pb-Free, UL1557 (File No.339285), RoHS | ||
Länge 54.5mm | ||
Breite 31 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- VN
Das integrierte Wechselrichter-Leistungsmodul von ON Semiconductor verfügt über einen High-Side-Gate-Treiber, einen LVIC, sechs IGBTs und einen Temperatursensor (VTS) und ist damit ideal für den Betrieb von PMSM-, BLDC- und AC-Asynchronmotoren geeignet. Die IGBTs sind in einer dreiphasigen Brücke mit separaten Emitteranschlüssen für die unteren Schenkel angeordnet, was eine maximale Flexibilität bei der Auswahl des Steuerungsalgorithmus ermöglicht.
Aktive Logik-Schnittstelle
Eingebauter Unterspannungsschutz
Integrierte Bootstrap-Dioden und -Widerstände
Getrennte IGBT-Emitteranschlüsse auf der Niederspannungsseite für individuelle Strommessung jeder Phase