onsemi IGBT / 75 A Gemeinsamer Emittent, 1200 V 652 W, 4-Pin TO-247-4L N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 277-080P
- Herst. Teile-Nr.:
- FGY4L75T120SWD
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (10 Stück, geliefert in Stange)*
CHF 86.05
Auf Lager
- 30 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 10 - 99 | CHF 8.61 |
| 100 - 499 | CHF 7.94 |
| 500 - 999 | CHF 7.35 |
| 1000 + | CHF 6.60 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 277-080P
- Herst. Teile-Nr.:
- FGY4L75T120SWD
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 75A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 652W | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Konfiguration | Gemeinsamer Emittent | |
| Gehäusegröße | TO-247-4L | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 5mm | |
| Höhe | 22.54mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 15.8mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 75A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 652W | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Konfiguration Gemeinsamer Emittent | ||
Gehäusegröße TO-247-4L | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Pinanzahl 4 | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 5mm | ||
Höhe 22.54mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 15.8mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der IGBT und die Gen7-Diode von ON Semiconductor in einem TO247-Gehäuse mit 4 Anschlussdrähten bieten eine optimale Leistung mit geringen Schalt- und Leitungsverlusten und ermöglichen einen hocheffizienten Betrieb. Diese Komponenten sind für den Einsatz in verschiedenen Anwendungen wie Solarwechselrichtern, unterbrechungsfreien Stromversorgungen (USV) und Energiespeichersystemen (ESS) konzipiert und bieten ein zuverlässiges und effizientes Energiemanagement in diesen anspruchsvollen Umgebungen.
Hohe Strombelastbarkeit
Reibungsloses und optimiertes Umschalten
Geringer Schaltverlust
RoHS-Konformität