onsemi IGBT / 75 A Gemeinsamer Emittent, 1200 V 652 W, 4-Pin TO-247-4L Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 277-080P
- Herst. Teile-Nr.:
- FGY4L75T120SWD
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 10 - 99 | CHF.8.72 |
| 100 - 499 | CHF.8.04 |
| 500 - 999 | CHF.7.45 |
| 1000 + | CHF.6.68 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 277-080P
- Herst. Teile-Nr.:
- FGY4L75T120SWD
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 75A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 652W | |
| Gehäusegröße | TO-247-4L | |
| Konfiguration | Gemeinsamer Emittent | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 5 mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 15.8mm | |
| Höhe | 22.54mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 75A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Maximale Verlustleistung Pd 652W | ||
Gehäusegröße TO-247-4L | ||
Konfiguration Gemeinsamer Emittent | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 4 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 5 mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 15.8mm | ||
Höhe 22.54mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der IGBT und die Gen7-Diode von ON Semiconductor in einem TO247-Gehäuse mit 4 Anschlussdrähten bieten eine optimale Leistung mit geringen Schalt- und Leitungsverlusten und ermöglichen einen hocheffizienten Betrieb. Diese Komponenten sind für den Einsatz in verschiedenen Anwendungen wie Solarwechselrichtern, unterbrechungsfreien Stromversorgungen (USV) und Energiespeichersystemen (ESS) konzipiert und bieten ein zuverlässiges und effizientes Energiemanagement in diesen anspruchsvollen Umgebungen.
Hohe Strombelastbarkeit
Reibungsloses und optimiertes Umschalten
Geringer Schaltverlust
RoHS-Konformität