Starpower IGBT-Modul / 30 A PIM 112 W Modul

RS Best.-Nr.:: 427-805
Herst. Teile-Nr.:: GD15PJX65L2S
Marke:: Starpower

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Herst. Teile-Nr.:: GD15PJX65L2S
Marke:: Starpower

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Starpower
	Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic	30A
	Produkt Typ	IGBT-Modul
	Maximale Verlustleistung Pd	112W
	Anzahl an Transistoren	7
	Konfiguration	PIM
	Gehäusegröße	Modul
	Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT	1.9V
	Gate-Emitter-Spannung max. VGEO	±20 V
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Starpower
	Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 30A
	Produkt Typ IGBT-Modul
	Maximale Verlustleistung Pd 112W
	Anzahl an Transistoren 7
	Konfiguration PIM
	Gehäusegröße Modul
	Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.9V
	Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 V
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet - GD15PJX65L2S

Ursprungsland:: CN

Das Starpower IGBT-Stromversorgungsmodul bietet extrem niedrige Leitungsverluste sowie eine robuste Kurzschlussfestigkeit. Sie wurden für Anwendungen wie allgemeine Wechselrichter und USV entwickelt.

VCE(sat) mit positivem Temperaturkoeffizienten

Maximale Sperrschichttemperatur 175 °C

Gehäuse mit niedriger Induktivität

Schnelle und sanfte umgekehrte Wiederherstellung, antiparallel FWD

Isolierte Kupfer-Sockelplatte mit DBC-Technologie

Starpower IGBT-Modul / 30 A PIM 112 W Modul

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