ROHM IGBT-Einzel-Transistor-IC / 74 A, 650 V 230 W, 3-Pin TO-247GE Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 646-600
- Herst. Teile-Nr.:
- RGE00TS65DGC13
- Marke:
- ROHM
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- 646-600
- Herst. Teile-Nr.:
- RGE00TS65DGC13
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 74A | |
| Produkt Typ | IGBT-Einzel-Transistor-IC | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 230W | |
| Gehäusegröße | TO-247GE | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 30 V | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 74A | ||
Produkt Typ IGBT-Einzel-Transistor-IC | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 230W | ||
Gehäusegröße TO-247GE | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 30 V | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der ROHM Field Stop Trench IGBT wurde für hocheffiziente Stromversorgungsanwendungen entwickelt. Es verfügt über eine Nennspannung von 650 V und eine Stromkapazität von 50 A, womit es für Wechselrichter, Schweißer und USV-Systeme geeignet ist. Mit einer Kurzschlusstoleranz von 5 μs und einer schnellen Erholungsdiode sorgt sie für niedrige Schaltverluste und hohe Zuverlässigkeit.
Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Pb-freie Bleibeschichtung
Integrierte sehr schnelle und weiche Erholung FRD
RoHS-Konformität
