ROHM IGBT / 51 A 30V max. , 650 V 166 W, 3-Pin TO-247GE N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 646-602
- Herst. Teile-Nr.:
- RGE60TS65DGC13
- Marke:
- ROHM
Nicht verfügbar
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- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 51 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V | |
| Gate-Source Spannung max. | 30V | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Verlustleistung max. | 166 W | |
| Gehäusegröße | TO-247GE | |
| Konfiguration | Single | |
| Montage-Typ | THT | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 51 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 650 V | ||
Gate-Source Spannung max. 30V | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Verlustleistung max. 166 W | ||
Gehäusegröße TO-247GE | ||
Konfiguration Single | ||
Montage-Typ THT | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Der ROHM Field Stop Trench IGBT wurde für hocheffiziente Stromversorgungsanwendungen entwickelt. Es verfügt über eine Nennspannung von 650 V und eine Stromkapazität von 30 A, womit es für Wechselrichter, Schweißer und USV-Systeme geeignet ist. Mit einer Kurzschlusstoleranz von 5 μs und einer schnellen Erholungsdiode sorgt sie für niedrige Schaltverluste und hohe Zuverlässigkeit
Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Pb-freie Bleibeschichtung
Integrierte sehr schnelle und weiche Erholung FRD
RoHS-Konformität
Pb-freie Bleibeschichtung
Integrierte sehr schnelle und weiche Erholung FRD
RoHS-Konformität
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