Infineon IGBT-Modul / 280 A ±20V max., 1200 V 1000 W, 35-Pin EconoPACK 3 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 110-7155P
- Herst. Teile-Nr.:
- FS200R12KT4RBOSA1
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 280 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 1000 W | |
| Konfiguration | Dreiphasenbrücke | |
| Gehäusegröße | EconoPACK 3 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 35 | |
| Transistor-Konfiguration | 3-phasig | |
| Abmessungen | 122 x 62 x 17mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 280 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 1000 W | ||
Konfiguration Dreiphasenbrücke | ||
Gehäusegröße EconoPACK 3 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 35 | ||
Transistor-Konfiguration 3-phasig | ||
Abmessungen 122 x 62 x 17mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
RoHS Status: Nicht zutreffend
IGBT-Module, Infineon
Die IGBT-Module von Infineon bieten einen niedrigen Schaltverlust beim Schalten mit Frequenzen von bis zu 60 kHz.
Die IGBTs umspannen eine Reihe von Versorgungsmodulen wie die ECONOPACK-Gehäuse mit Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V, PrimePACK-IGBT-Halbbrücken-Choppermodule mit NTC bis 1600/1700 V. Die PrimePACK-IGBTs werden in industriellen, kommerziellen, Bau- und Landwirtschaftsfahrzeugen verwendet. Die N-Channel TRENCHSTOP TM- und Fieldstop-IGBT-Module sind für hartes Schalten und weiches Schalten wie in Wechselrichtern, USV und industriellen Antrieben geeignet.
Die IGBTs umspannen eine Reihe von Versorgungsmodulen wie die ECONOPACK-Gehäuse mit Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V, PrimePACK-IGBT-Halbbrücken-Choppermodule mit NTC bis 1600/1700 V. Die PrimePACK-IGBTs werden in industriellen, kommerziellen, Bau- und Landwirtschaftsfahrzeugen verwendet. Die N-Channel TRENCHSTOP TM- und Fieldstop-IGBT-Module sind für hartes Schalten und weiches Schalten wie in Wechselrichtern, USV und industriellen Antrieben geeignet.
Gehäuseausführungen umfassen: 62-mm-Modul, EasyPack, EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4
IGBT, diskrete Bauteile und Module, Infineon
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.