Infineon IGBT-Modul / 55 A, 1.2 kV 210 W, 35-Pin ECONO3 N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 124-8788
- Herst. Teile-Nr.:
- FP40R12KE3GBOSA1
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 55A | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1.2kV | |
| Anzahl an Transistoren | 7 | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 210W | |
| Gehäusegröße | ECONO3 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Pinanzahl | 35 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 1MHz | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Serie | FP40R12KE3G | |
| Breite | 62mm | |
| Länge | 122mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 17mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 55A | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1.2kV | ||
Anzahl an Transistoren 7 | ||
Maximale Verlustleistung Pd 210W | ||
Gehäusegröße ECONO3 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Pinanzahl 35 | ||
Schaltgeschwindigkeit 1MHz | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Serie FP40R12KE3G | ||
Breite 62mm | ||
Länge 122mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 17mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
IGBT-Module, Infineon
Die IGBT-Module von Infineon bieten einen niedrigen Schaltverlust beim Schalten mit Frequenzen von bis zu 60 kHz.
Die IGBTs umspannen eine Reihe von Versorgungsmodulen wie die ECONOPACK-Gehäuse mit Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V, PrimePACK-IGBT-Halbbrücken-Choppermodule mit NTC bis 1600/1700 V. Die PrimePACK-IGBTs werden in industriellen, kommerziellen, Bau- und Landwirtschaftsfahrzeugen verwendet. Die N-Channel TRENCHSTOP TM- und Fieldstop-IGBT-Module sind für hartes Schalten und weiches Schalten wie in Wechselrichtern, USV und industriellen Antrieben geeignet.
Gehäuseausführungen umfassen: 62-mm-Modul, EasyPack, EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4
IGBT, diskrete Bauteile und Module, Infineon
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
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