Infineon IGBT / 60 A ±20V max., 600 V 187 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 145-9416
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW30N60H3FKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*
CHF.79.08
Auf Lager
- Zusätzlich 30 Einheit(en) mit Versand ab 29. Dezember 2025
- Zusätzlich 240 Einheit(en) mit Versand ab 29. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | CHF.2.636 | CHF.79.03 |
| 60 + | CHF.2.478 | CHF.74.31 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 145-9416
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW30N60H3FKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 60 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 187 W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 16.13 x 5.21 x 21.1mm | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Nennleistung | 1.72mJ | |
| Gate-Kapazität | 1630pF | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 60 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 600 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 187 W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montage-Typ THT | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 16.13 x 5.21 x 21.1mm | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Nennleistung 1.72mJ | ||
Gate-Kapazität 1630pF | ||
- Ursprungsland:
- MY
Infineon TrenchStop IGBT-Transistoren, 600 und 650 V
Eine Serie von IGBT-Transistoren von Infineon mit Kollektor-Emitter-Nennspannungen von 600 und 650 V mit TrenchStop™-Technologie. Das Angebot umfasst Geräte mit integrierter hoher Geschwindigkeit, kurze Erholzeit, antiparallel geschalteter Diode.
• Kollektor-Emitter – Spannungsbereich 600 bis 650 V
• Sehr geringer VCEsat
• Niedrige Abschaltverluste
• Kurzer Deaktivierungsstrom
• Geringe elektromagnetische Störungen
• Maximale Verbindungstemperatur 175°C
• Sehr geringer VCEsat
• Niedrige Abschaltverluste
• Kurzer Deaktivierungsstrom
• Geringe elektromagnetische Störungen
• Maximale Verbindungstemperatur 175°C
IGBT, diskrete Bauteile und Module, Infineon
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Verwandte Links
- Infineon IGBT / 60 A ±20V max., 600 V 187 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- Infineon IGBT / 45 A ±20V max., 600 V 187 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- Infineon IGBT / 80 A ±20V max., 600 V 428 W, 3-Pin TO-247
- Infineon IGBT / 100 A ±20V max., 600 V 333 W, 3-Pin TO-247
- Infineon IGBT / 150 A ±20V max., 600 V 428 W, 3-Pin TO-247
- Infineon IGBT / 60 A +/-20V max. , 600 V 187 W, 3-Pin PG-TO263-3
- Infineon IGBT / 60 A +/-20V max. , 600 V 187 W, 3-Pin PG-TO220-3
- Infineon IGBT / 60 A +/-20V max. , 600 V 187 W, 3-Pin PG-TO247-3