- RS Best.-Nr.:
- 165-5495
- Herst. Teile-Nr.:
- STGB20V60DF
- Marke:
- STMicroelectronics
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 165-5495
- Herst. Teile-Nr.:
- STGB20V60DF
- Marke:
- STMicroelectronics
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
IGBT, diskret, STMicroelectronics
IGBT, diskrete Bauteile und Module, STMicroelectronics
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Dauer-Kollektorstrom max. | 40 A |
Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V |
Gate-Source Spannung max. | ±20V |
Verlustleistung max. | 167 W |
Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) |
Montage-Typ | SMD |
Channel-Typ | N |
Pinanzahl | 3 |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Abmessungen | 10.4 x 9.35 x 4.6mm |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |