STMicroelectronics IGBT / 10 A ±20V max., 600 V 83 W, 3-Pin DPAK (TO-252) N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 165-8040
- Herst. Teile-Nr.:
- STGD5H60DF
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*
CHF.1’260.00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 04. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 2500 + | CHF.0.504 | CHF.1’249.50 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 165-8040
- Herst. Teile-Nr.:
- STGD5H60DF
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 10 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 83 W | |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 6.6 x 6.2 x 2.4mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Gate-Kapazität | 855pF | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Nennleistung | 221mJ | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 10 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 600 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 83 W | ||
Gehäusegröße DPAK (TO-252) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 6.6 x 6.2 x 2.4mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Gate-Kapazität 855pF | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Nennleistung 221mJ | ||
- Ursprungsland:
- CN
IGBT, diskret, STMicroelectronics
IGBT, diskrete Bauteile und Module, STMicroelectronics
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Verwandte Links
- STMicroelectronics IGBT / 10 A ±20V max., 600 V 83 W, 3-Pin DPAK (TO-252) N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 10 A ±20V max., 1200 V 75 W, 3-Pin DPAK (TO-252) N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 4 A ±20V max. , 600 V 75 W, 3-Pin DPAK
- onsemi SuperFET N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 7 A 83 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- STMicroelectronics IGBT / 30 A 16V max., 420 V 125 W, 3-Pin DPAK (TO-252) N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 20 A ±20V max., 600 V, 3-Pin TO-220 N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 60 A ±20V max., 600 V, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 25 A ±20V max., 600 V, 3-Pin TO-220 N-Kanal