Infineon IGBT-Modul / 1400 A, 1200 V 7.65 kW AG-PRIME3-1 N-Kanal Klemme

RS Best.-Nr.:: 166-0887
Herst. Teile-Nr.:: FF1400R12IP4BOSA1
Marke:: Infineon

Infineon IGBT-Modul / 1400 A, 1200 V 7.65 kW AG-PRIME3-1 N-Kanal Klemme

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Zwischensumme (2 Stück, in einer Schale mit 2)*

CHF 1'233.27

Vorübergehend ausverkauft

Versand ab 05. Juli 2027

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Schale*
2 +	CHF 616.635	CHF 1'233.27

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 166-0887
Herst. Teile-Nr.:: FF1400R12IP4BOSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic	1400A
	Produkt Typ	IGBT-Modul
	Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo	1200V
	Maximale Verlustleistung Pd	7.65kW
	Gehäusegröße	AG-PRIME3-1
	Montageart	Klemme
	Kabelkanaltyp	N
	Schaltgeschwindigkeit	0.97μs
	Gate-Emitter-Spannung max. VGEO	20 V
	Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT	2.15V
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	250mm
	Normen/Zulassungen	EN 61140
	Höhe	38mm
	Breite	89mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 1400A
	Produkt Typ IGBT-Modul
	Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V
	Maximale Verlustleistung Pd 7.65kW
	Gehäusegröße AG-PRIME3-1
	Montageart Klemme
	Kabelkanaltyp N
	Schaltgeschwindigkeit 0.97μs
	Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V
	Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.15V
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 250mm
	Normen/Zulassungen EN 61140
	Höhe 38mm
	Breite 89mm
	Automobilstandard Nein

RoHS Status: Nicht zutreffend

Ursprungsland:: MY

Infineon IGBT-Modul, 1200 V max. Kollektor-Emitter-Spannung, 1400 A max. kontinuierlicher Kollektorstrom – FF1400R12IP4BOSA1

Dieses IGBT-Modul bietet Hochleistungs-Schaltung für anspruchsvolle industrielle Wandler und Traktionsumrichter. Es wurde für den Betrieb in einem breiten Temperaturbereich entwickelt und bietet robuste Leistung in Umgebungen mit hohem Stromverbrauch, wobei eine Klemmbefestigung für eine sichere Installation verwendet wird. Das Gehäuse und die elektrischen Eigenschaften unterstützen Hochleistungs-Leistungshalbleiterrollen in Systemen, die eine kontrollierte Schaltung bei hohen Spannungen und Strömen erfordern.

Merkmale und Vorteile:

• Die Nennspannung von 1200 V ermöglicht die Integration von Hochspannungssystemen
• 1400 A Dauerstrom unterstützt Hochleistungsstromströme
• Niedrige Sättigungsspannung von 2,15 V reduziert Leitungsverluste
• Maximale Verlustleistung von 7,65 kW bewältigt intensive thermische Lasten
• Die Schaltgeschwindigkeit von 0,97 μs ermöglicht eine schnelle Stromumwandlung
• 20-V-Gate-Emitter-Grenzwert gewährleistet sichere Gate-Drive-Spannen

Anwendungsbereiche

• Geeignet für Traktionsumrichter-Leistungsstufen in Schienensystemen
• Ideal für industrielle Motorantriebe mit hohem Strombedarf
• Einsatz mit DC/DC-Wandlern in der Energiespeicherung in großem Umfang
• Kann für Leistungsumwandlungsmodule im Versorgungsbereich verwendet werden
• Geeignet für Hochleistungs-Schweißstromversorgungen

Welche Befestigungsanordnung ist für die Installation erforderlich?

Es ist für die Klemmbefestigung konzipiert, um eine sichere mechanische und thermische Schnittstelle zu bieten.

Wie groß ist der Betriebstemperaturbereich für anspruchsvolle Umgebungen?

Er arbeitet bei Temperaturen von -40 °C bis 150 °C und ermöglicht so den Einsatz unter extremen Umgebungs- und Gehäusebedingungen.

Welchen Gehäuseformfaktor nutzt das Gerät für die Integration?

Er wird in einem AG‐PRIME3‐1-Gehäuse geliefert, das für Hochleistungsmodul-Layouts geeignet ist.

Wie wirkt sich die Gate-Bewertung des Geräts auf das Gate-Drive-Design aus?

Die Gate-Emitter-Grenzspannung beträgt 20 V, sodass Gate-Drive-Schaltkreise die angelegte Spannung entsprechend begrenzen müssen, um Gate-Schäden zu verhindern.