Infineon IGBT-Modul / 1400 A, 1200 V 7.65 kW AG-PRIME3-1 N-Kanal Klemme
- RS Best.-Nr.:
- 166-0887
- Herst. Teile-Nr.:
- FF1400R12IP4BOSA1
- Marke:
- Infineon
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- 166-0887
- Herst. Teile-Nr.:
- FF1400R12IP4BOSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 1400A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 7.65kW | |
| Gehäusegröße | AG-PRIME3-1 | |
| Montageart | Klemme | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Schaltgeschwindigkeit | 0.97μs | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.15V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 89mm | |
| Normen/Zulassungen | EN 61140 | |
| Länge | 250mm | |
| Höhe | 38mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 1400A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 7.65kW | ||
Gehäusegröße AG-PRIME3-1 | ||
Montageart Klemme | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Schaltgeschwindigkeit 0.97μs | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.15V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 89mm | ||
Normen/Zulassungen EN 61140 | ||
Länge 250mm | ||
Höhe 38mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
RoHS Status: Nicht zutreffend
- Ursprungsland:
- MY
Infineon IGBT-Modul, 1200 V max. Kollektor-Emitter-Spannung, 1400 A max. kontinuierlicher Kollektorstrom – FF1400R12IP4BOSA1
Dieses IGBT-Modul bietet Hochleistungs-Schaltung für anspruchsvolle industrielle Wandler und Traktionsumrichter. Es wurde für den Betrieb in einem breiten Temperaturbereich entwickelt und bietet robuste Leistung in Umgebungen mit hohem Stromverbrauch, wobei eine Klemmbefestigung für eine sichere Installation verwendet wird. Das Gehäuse und die elektrischen Eigenschaften unterstützen Hochleistungs-Leistungshalbleiterrollen in Systemen, die eine kontrollierte Schaltung bei hohen Spannungen und Strömen erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• Die Nennspannung von 1200 V ermöglicht die Integration von Hochspannungssystemen
• 1400 A Dauerstrom unterstützt Hochleistungsstromströme
• Niedrige Sättigungsspannung von 2,15 V reduziert Leitungsverluste
• Maximale Verlustleistung von 7,65 kW bewältigt intensive thermische Lasten
• Die Schaltgeschwindigkeit von 0,97 μs ermöglicht eine schnelle Stromumwandlung
• 20-V-Gate-Emitter-Grenzwert gewährleistet sichere Gate-Drive-Spannen
• 1400 A Dauerstrom unterstützt Hochleistungsstromströme
• Niedrige Sättigungsspannung von 2,15 V reduziert Leitungsverluste
• Maximale Verlustleistung von 7,65 kW bewältigt intensive thermische Lasten
• Die Schaltgeschwindigkeit von 0,97 μs ermöglicht eine schnelle Stromumwandlung
• 20-V-Gate-Emitter-Grenzwert gewährleistet sichere Gate-Drive-Spannen
Anwendungsbereiche
• Geeignet für Traktionsumrichter-Leistungsstufen in Schienensystemen
• Ideal für industrielle Motorantriebe mit hohem Strombedarf
• Einsatz mit DC/DC-Wandlern in der Energiespeicherung in großem Umfang
• Kann für Leistungsumwandlungsmodule im Versorgungsbereich verwendet werden
• Geeignet für Hochleistungs-Schweißstromversorgungen
• Ideal für industrielle Motorantriebe mit hohem Strombedarf
• Einsatz mit DC/DC-Wandlern in der Energiespeicherung in großem Umfang
• Kann für Leistungsumwandlungsmodule im Versorgungsbereich verwendet werden
• Geeignet für Hochleistungs-Schweißstromversorgungen
Welche Befestigungsanordnung ist für die Installation erforderlich?
Es ist für die Klemmbefestigung konzipiert, um eine sichere mechanische und thermische Schnittstelle zu bieten.
Wie groß ist der Betriebstemperaturbereich für anspruchsvolle Umgebungen?
Er arbeitet bei Temperaturen von -40 °C bis 150 °C und ermöglicht so den Einsatz unter extremen Umgebungs- und Gehäusebedingungen.
Welchen Gehäuseformfaktor nutzt das Gerät für die Integration?
Er wird in einem AG‐PRIME3‐1-Gehäuse geliefert, das für Hochleistungsmodul-Layouts geeignet ist.
Wie wirkt sich die Gate-Bewertung des Geräts auf das Gate-Drive-Design aus?
Die Gate-Emitter-Grenzspannung beträgt 20 V, sodass Gate-Drive-Schaltkreise die angelegte Spannung entsprechend begrenzen müssen, um Gate-Schäden zu verhindern.
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