Infineon IGBT-Modul / 580 A ±20V max., 1200 V 2 kW AG-62MM-1 N-Kanal

Dieses IGBT-Modul wurde entwickelt, um die Leistung in verschiedenen industriellen Anwendungen zu verbessern. Mit Abmessungen von 106,4 x 61,4 x 30,9 mm kombiniert er hohe Effizienz mit robusten Spezifikationen und bietet einen maximalen kontinuierlichen Kollektorstrom von 580 A und eine Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V. Sein Design ermöglicht eine effektive Integration in leistungselektronische Schaltungen und ist damit die ideale Wahl für alle, die zuverlässige modulare IGBT-Lösungen benötigen.

• Maximale Gate-Emitter-Spannung von ±20 V bietet betriebliche Flexibilität
• Hohe Verlustleistung von 2 kW für anspruchsvolle Anforderungen
• Konzipiert für den Schalttafeleinbau, um eine einfache Installation in verschiedenen Umgebungen zu gewährleisten
• Die Serienkonfiguration optimiert den Platzbedarf und die betriebliche Effizienz

• Verwendung in Wechselrichterschaltungen für Industriemaschinen
• Optimiert für Systeme zur Nutzung erneuerbarer Energien, wie z. B. Solarwechselrichter
• Effektiv in Elektrofahrzeugen und Antriebssystemen
• Einsatz in schweren Automatisierungsanlagen, bei denen hohe Ströme unerlässlich sind

Der Wärmewiderstand von der Anschlussstelle zum Gehäuse beträgt 0,062 K/W und vom Gehäuse zum Kühlkörper 0,031 K/W, was eine effektive Wärmeableitung während des Betriebs gewährleistet.

Mit einer maximalen Betriebstemperatur von +125°C und einer minimalen Temperatur von -40°C eignet er sich für unterschiedliche Umgebungsbedingungen und anspruchsvolle Anwendungen.

Mit einem maximalen Kollektor-Dauerstrom von 580 A kann dieses IGBT-Modul erhebliche Leistungslasten bewältigen und ist damit ideal für Hochstrom-IGBT-Anwendungen in industriellen Umgebungen.

Ja, die niedrige Gate-Kapazität von 28nF und die spezifizierten Gate-Drive-Fähigkeiten ermöglichen ein effizientes, schnelles Schalten, wodurch die Leistung von leistungselektronischen Komponenten in Schaltungen erhöht wird.

IGBT, diskrete Bauteile und Module, Infineon

Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.