Fairchild IGBT / 21 A ±14V max., 450 V 150 W, 3-Pin TO-220AB N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 166-2175
- Herst. Teile-Nr.:
- ISL9V3040P3
- Marke:
- Fairchild Semiconductor
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CHF.2.856
| Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
| 50 - 50 | CHF.2.856 | CHF.142.905 |
| 100 - 450 | CHF.2.342 | CHF.117.18 |
| 500 - 950 | CHF.1.974 | CHF.98.753 |
| 1000 - 2450 | CHF.1.733 | CHF.86.678 |
| 2500 + | CHF.1.691 | CHF.84.525 |
| *Bitte VPE beachten | ||
- RS Best.-Nr.:
- 166-2175
- Herst. Teile-Nr.:
- ISL9V3040P3
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- Fairchild Semiconductor
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Produktdetails
Diskrete IGBTs, Fairchild Semiconductor
IGBT diskret und Module, Fairchild Semiconductor
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Dauer-Kollektorstrom max. | 21 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 450 V |
| Gate-Source Spannung max. | ±14V |
| Verlustleistung max. | 150 W |
| Gehäusegröße | TO-220AB |
| Montage-Typ | THT |
| Channel-Typ | N |
| Pinanzahl | 3 |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Abmessungen | 10.67 x 4.7 x 16.3mm |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C |