- RS Best.-Nr.:
- 166-3300
- Herst. Teile-Nr.:
- FGH30S130P
- Marke:
- onsemi
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- 166-3300
- Herst. Teile-Nr.:
- FGH30S130P
- Marke:
- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Diskrete IGBTs, 1000 V und mehr, Fairchild Semiconductor
Der ON Semiconductor FGH30S130P ist ein 1300 V, 30 A IGBT mit Kurzschlussanode und Feldstopp-Trenchtechnologie. Weiche Schaltanwendungen sind ideal für den FGH30S130P mit effizienter Leitung und hoher Schaltleistung. Der IGBT FGH30S130P kann parallel betrieben werden und bietet große Lawinenfähigkeiten.
Der FGH30S130P IGBT ist für Induktionsheizungen, Mikrowellenherde und andere Haushaltsgeräte ausgelegt.
Der FGH30S130P IGBT ist für Induktionsheizungen, Mikrowellenherde und andere Haushaltsgeräte ausgelegt.
Paket TO-247
Hochgeschwindigkeitsumschaltung
Hervorragende Überleitung
Niedrige Sättigungsspannung
Hohe Eingangsimpedanz
Hochgeschwindigkeitsumschaltung
Hervorragende Überleitung
Niedrige Sättigungsspannung
Hohe Eingangsimpedanz
IGBT diskret und Module, Fairchild Semiconductor
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Dauer-Kollektorstrom max. | 60 A |
Kollektor-Emitter-Spannung | 1300 V |
Gate-Source Spannung max. | ±25V |
Verlustleistung max. | 500 W |
Gehäusegröße | TO-247 |
Montage-Typ | THT |
Channel-Typ | N |
Pinanzahl | 3 |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Abmessungen | 15.87 x 4.82 x 20.82mm |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 166-3300
- Herst. Teile-Nr.:
- FGH30S130P
- Marke:
- onsemi