STMicroelectronics IGBT / 40 A ±20V max., 600 V 283 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 168-7004
- Herst. Teile-Nr.:
- STGW40V60DF
- Marke:
- STMicroelectronics
Voraussichtlich ab 15.04.2025 zur Lieferung verfügbar. Lieferung erfolgt innerhalb von 6-8 Werktagen.
Im Warenkorb
Preis pro Stück (In einer Stange von 30)
CHF.2.667
| Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
| 30 - 30 | CHF.2.667 | CHF.80.01 |
| 60 - 120 | CHF.2.373 | CHF.71.033 |
| 150 + | CHF.2.31 | CHF.69.269 |
| *Bitte VPE beachten | ||
- RS Best.-Nr.:
- 168-7004
- Herst. Teile-Nr.:
- STGW40V60DF
- Marke:
- STMicroelectronics
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
IGBT, diskret, STMicroelectronics
IGBT, diskrete Bauteile und Module, STMicroelectronics
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Dauer-Kollektorstrom max. | 40 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V |
| Verlustleistung max. | 283 W |
| Gehäusegröße | TO-247 |
| Montage-Typ | THT |
| Channel-Typ | N |
| Pinanzahl | 3 |
| Schaltgeschwindigkeit | 1MHz |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Abmessungen | 15.75 x 5.15 x 20.15mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 168-7004
- Herst. Teile-Nr.:
- STGW40V60DF
- Marke:
- STMicroelectronics