STMicroelectronics IGBT / 11 A ±20V max., 600 V 28 W, 3-Pin TO-220FP N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 168-7736
- Herst. Teile-Nr.:
- STGF14NC60KD
- Marke:
- STMicroelectronics
Voraussichtlich ab 31.03.2025 zur Lieferung verfügbar. Lieferung erfolgt innerhalb von 6-8 Werktagen.
Im Warenkorb
Preis pro Stück (In einer Stange von 50)
CHF.1.071
| Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
| 50 - 50 | CHF.1.071 | CHF.53.393 |
| 100 - 450 | CHF.0.798 | CHF.40.005 |
| 500 - 950 | CHF.0.693 | CHF.34.913 |
| 1000 - 4950 | CHF.0.683 | CHF.34.02 |
| 5000 + | CHF.0.662 | CHF.33.18 |
| *Bitte VPE beachten | ||
- RS Best.-Nr.:
- 168-7736
- Herst. Teile-Nr.:
- STGF14NC60KD
- Marke:
- STMicroelectronics
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
IGBT, diskret, STMicroelectronics
IGBT, diskrete Bauteile und Module, STMicroelectronics
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Dauer-Kollektorstrom max. | 11 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V |
| Verlustleistung max. | 28 W |
| Gehäusegröße | TO-220FP |
| Montage-Typ | THT |
| Channel-Typ | N |
| Pinanzahl | 3 |
| Schaltgeschwindigkeit | 1MHz |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Abmessungen | 10.4 x 4.6 x 16.4mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |