ROHM IGBT / 30 A 30V max., 650 V 133 W, 3+Tab-Pin TO-262 P-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 171-5593
- Herst. Teile-Nr.:
- RGT30NS65DGC9
- Marke:
- ROHM
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CHF.2.688
| Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
| 5 - 45 | CHF.2.688 | CHF.13.461 |
| 50 - 95 | CHF.2.415 | CHF.12.096 |
| 100 - 245 | CHF.2.195 | CHF.10.983 |
| 250 - 495 | CHF.2.016 | CHF.10.101 |
| 500 + | CHF.1.869 | CHF.9.335 |
| *Bitte VPE beachten | ||
- RS Best.-Nr.:
- 171-5593
- Herst. Teile-Nr.:
- RGT30NS65DGC9
- Marke:
- ROHM
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- JP
Produktdetails
ROHM-IGBT-Produkte werden dazu beitragen, einen hohen Wirkungsgrad und ein breites Spektrum an Hochspannungs- und Hochstromanwendungen zu erreichen.
Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Geringe Schaltverluste
Kurzschlusswiderstandszeit: 5 μs
Integriertes sehr schnelles FRD für die Wiederherstellung (RFN-Serie)
Bleifreie Beschichtung
Geringe Schaltverluste
Kurzschlusswiderstandszeit: 5 μs
Integriertes sehr schnelles FRD für die Wiederherstellung (RFN-Serie)
Bleifreie Beschichtung
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Dauer-Kollektorstrom max. | 30 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V |
| Gate-Source Spannung max. | 30V |
| Anzahl an Transistoren | 1 |
| Verlustleistung max. | 133 W |
| Gehäusegröße | TO-262 |
| Montage-Typ | THT |
| Channel-Typ | P |
| Pinanzahl | 3+Tab |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Abmessungen | 10.1 x 4.5 x 9mm |
| Gate-Kapazität | 780pF |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |