STMicroelectronics IGBT / 50 A, 650 V 167 W, 3-Pin To-247 LL Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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Herst. Teile-Nr.:
STGWA30HP65FB2
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

50A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

167W

Gehäusegröße

To-247 LL

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Schaltgeschwindigkeit

1MHz

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.1V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±30 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

15.9mm

Höhe

5.1mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Serie

STG

Automobilstandard

Nein

Der STMicroelectronics Trench Gate Feldanschlag, 650 V, 30 A, Hochgeschwindigkeits-IGBT der Serie HB2 in einem TO-247-Gehäuse mit langen Leitungen, hat einen positiven VCE(sat)-Temperaturkoeffizienten.

Minimierter Endstrom

Enge Parameterverteilung

Niedriger Wärmewiderstand

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