onsemi Intelligentes Leistungsmodull / 20 A, 1200 V 125 W, 39-Pin DIP Typ N-Kanal Oberfläche
- RS Best.-Nr.:
- 202-4069
- Herst. Teile-Nr.:
- NFAM2012L5BT
- Marke:
- onsemi
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- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | Intelligentes Leistungsmodull | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 20A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Gehäusegröße | DIP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 39 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 20kHz | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 15 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.5V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | UL | |
| Serie | IPM | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ Intelligentes Leistungsmodull | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 20A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Gehäusegröße DIP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 39 | ||
Schaltgeschwindigkeit 20kHz | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 15 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.5V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen UL | ||
Serie IPM | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das on Semiconductor NFAM2012L5BT ist ein vollständig integriertes Wechselrichter-Leistungsmodul bestehend aus einem unabhängigen High-Side-Gate-Treiber, LVIC, sechs IGBT und einem Temperatursensor, geeignet für die Ansteuerung von Permanentmagnet-Synchronmotoren (PMSM), bürstenlosen DC- (BLDC) Motoren und AC-Asynchronmotoren.
Integrierter Unterspannungsschutz (UVP)
Integrierte Bootstrap-Dioden und Widerstände
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