STMicroelectronics IGBT / 30 A, 650 V 260 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 202-5515P
- Herst. Teile-Nr.:
- STGWA30HP65FB
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|
| 50 - 120 | CHF 2.798 |
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- RS Best.-Nr.:
- 202-5515P
- Herst. Teile-Nr.:
- STGWA30HP65FB
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 30A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 260W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 1MHz | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 5.1mm | |
| Breite | 21.1mm | |
| Serie | STG | |
| Länge | 15.9mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 30A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 260W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 1MHz | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 5.1mm | ||
Breite 21.1mm | ||
Serie STG | ||
Länge 15.9mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Hochgeschwindigkeits-IGBT der Serie STMicroelectronics HB wurde mit einer Advanced-eigenen Trench Gate Fieldstop-Struktur entwickelt. Das Gerät ist Teil der neuen Serie HB von IGBTs, die einen optimalen Kompromiss zwischen Leitfähigkeit und Schaltverlust darstellt, um den Wirkungsgrad jedes Frequenzumrichters zu maximieren.
Niedriger Wärmewiderstand
Sehr schnelle antiparallele Diode mit weicher Erholung
