STMicroelectronics IGBT / 30 A, 650 V 260 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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STGWA30HP65FB
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

30A

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

260W

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Schaltgeschwindigkeit

1MHz

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

15.9mm

Höhe

5.1mm

Serie

STG

Automobilstandard

Nein

Der Hochgeschwindigkeits-IGBT der Serie STMicroelectronics HB wurde mit einer Advanced-eigenen Trench Gate Fieldstop-Struktur entwickelt. Das Gerät ist Teil der neuen Serie HB von IGBTs, die einen optimalen Kompromiss zwischen Leitfähigkeit und Schaltverlust darstellt, um den Wirkungsgrad jedes Frequenzumrichters zu maximieren.

Niedriger Wärmewiderstand

Sehr schnelle antiparallele Diode mit weicher Erholung

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