onsemi IGBT / 100 A, 650 V 134 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 202-5676
- Herst. Teile-Nr.:
- FGHL50T65SQDT
- Marke:
- onsemi
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|---|---|---|
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- 202-5676
- Herst. Teile-Nr.:
- FGHL50T65SQDT
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 100A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 134W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.47V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±3 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Serie | FGHL50T65SQDT | |
| Normen/Zulassungen | This Device is Pb-Free and is RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 100A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 134W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.47V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±3 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Serie FGHL50T65SQDT | ||
Normen/Zulassungen This Device is Pb-Free and is RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die on Semiconductor IGBTs bieten die optimale Leistung für Solarwechselrichter, USV, Schweißgeräte, Telekommunikation, ESS- und PFC-Anwendungen, bei denen niedrige Leitungs- und Schaltverluste unerlässlich sind.
175 °C maximale Sperrschichttemperatur
Hohe Strombelastbarkeit
Hohe Eingangsimpedanz
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Ziehen Sie die Parameterverteilung fest
Bleifrei und RoHS-konform
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