onsemi IGBT / 100 A ±30.0V max. , 650 V 134 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 202-5676
- Herst. Teile-Nr.:
- FGHL50T65SQDT
- Marke:
- onsemi
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CHF.1’261.80
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 450 + | CHF.2.804 | CHF.1’261.58 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 202-5676
- Herst. Teile-Nr.:
- FGHL50T65SQDT
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 100 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±30.0V | |
| Verlustleistung max. | 134 W | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 100 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 650 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±30.0V | ||
Verlustleistung max. 134 W | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Die on Semiconductor IGBTs bieten die optimale Leistung für Solarwechselrichter, USV, Schweißgeräte, Telekommunikation, ESS- und PFC-Anwendungen, bei denen niedrige Leitungs- und Schaltverluste unerlässlich sind.
175 °C maximale Sperrschichttemperatur
Hohe Strombelastbarkeit
Hohe Eingangsimpedanz
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Ziehen Sie die Parameterverteilung fest
Bleifrei und RoHS-konform
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Hohe Eingangsimpedanz
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Ziehen Sie die Parameterverteilung fest
Bleifrei und RoHS-konform
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