Teile-Nr.

STMicroelectronics IGBT / 60 A ±20V max. , 650 V 108 W, 4-Pin TO-247

RS Best.-Nr.:: 206-8630P
Herst. Teile-Nr.:: STGWA30IH65DF
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics IGBT / 60 A ±20V max. , 650 V 108 W, 4-Pin TO-247

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Stück	Pro Stück
25 - 45	CHF.4.095
50 - 120	CHF.3.99
125 - 245	CHF.3.885
250 +	CHF.3.78

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 206-8630P
Herst. Teile-Nr.:: STGWA30IH65DF
Marke:: STMicroelectronics

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	STMicroelectronics
	Dauer-Kollektorstrom max.	60 A
	Kollektor-Emitter-Spannung	650 V
	Gate-Source Spannung max.	±20V
	Verlustleistung max.	108 W
	Anzahl an Transistoren	1
	Gehäusegröße	TO-247
	Pinanzahl	4

	Alle auswählen
	Marke STMicroelectronics
	Dauer-Kollektorstrom max. 60 A
	Kollektor-Emitter-Spannung 650 V
	Gate-Source Spannung max. ±20V
	Verlustleistung max. 108 W
	Anzahl an Transistoren 1
	Gehäusegröße TO-247
	Pinanzahl 4

Datasheet - STGWA30IH65DF

Die Serie STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 stellt eine Weiterentwicklung der Advanced proprietären Trench Gate Field Stopp-Struktur dar. Die Leistung der HB2-Serie ist durch ein besseres VCE(sat)-Verhalten bei niedrigen Stromwerten sowie durch reduzierte Schaltenergie optimiert.

Nur für weiche Kommutierung konzipiert
Maximale Sperrschichttemperatur: TJ = 175 °C.
VCE(sat) = 1,55 V (typ.) @ IC = 30 A
Minimierter Endstrom
Enge Parameterverteilung
Niedriger Wärmewiderstand
Diode mit niedrigem Spannungsabfall und Freilauf in kopaketiertem Gehäuse
Positiver VCE(sat)-Temperaturkoeffizient