Semikron IGBT-Modul / 422 A 20V max. Dual, 1200 V N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 210-4949
- Herst. Teile-Nr.:
- SKM300GB12T4
- Marke:
- Semikron
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| 25 - 49 | CHF.199.689 |
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Das SEMIKRON semitrans 3 Fast IGBT 4-Modul gehört zur IGBT4-Generation, die eine bevorzugte Wahl für Anwendungen wie elektronische Schweißgeräte bei Schaltfrequenzen von bis zu 20 kHz, AC-Wechselrichterantriebe und USV sein kann. Der Chipsatz bietet eine isolierte Kupfergrundplatte mit DBC-Technologie (Direct Bonded Copper) und in das Modul integrierte Soft-Switching-CAL-Diode der 4. Generation.
Integrierter Gate-Widerstand
Verbesserte Leistungswechselfunktion und weiches Schalten
IGBTs der Serie zwei
Betriebstemperatur = -40 bis 150 °C.
Verbesserte Leistungswechselfunktion und weiches Schalten
IGBTs der Serie zwei
Betriebstemperatur = -40 bis 150 °C.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Dauer-Kollektorstrom max. | 422 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V |
| Gate-Source Spannung max. | 20V |
| Anzahl an Transistoren | 2 |
| Konfiguration | Dual |
| Montage-Typ | Tafelmontage |
| Channel-Typ | N |
| Transistor-Konfiguration | Zweifach-Halbbrücke |