onsemi IGBT / 75 A, 650 V 375 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 214-8782P
- Herst. Teile-Nr.:
- AFGHL75T65SQ
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 5 + | CHF.5.494 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-8782P
- Herst. Teile-Nr.:
- AFGHL75T65SQ
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 75A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 375W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.6V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Serie | Trench | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 75A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 375W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.6V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Serie Trench | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Die Serie on Semiconductor AFGHL ist IGBT, der die optimale Leistung mit geringen Leitungs- und Schaltverlusten für hocheffiziente Vorgänge in verschiedenen Anwendungen bietet, die keine Spezifikation für Rückgewinnung erfordern.
Hohe Strombelastbarkeit
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Enge Parameterverteilung