onsemi IGBT / 120 A, 650 V 714 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 214-8789
- Herst. Teile-Nr.:
- AFGY120T65SPD
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 4 | CHF.10.32 |
| 5 - 9 | CHF.8.89 |
| 10 - 14 | CHF.7.36 |
| 15 - 19 | CHF.6.91 |
| 20 + | CHF.6.52 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-8789
- Herst. Teile-Nr.:
- AFGY120T65SPD
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 120A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 714W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.6V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 | |
| Serie | AFGY120T65SPD | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 120A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 714W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.6V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 | ||
Serie AFGY120T65SPD | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Die Serie on Semiconductor AFGY ist IGBT mit einer weichen, schnellen Wiederherstellungsdiode, die sehr niedrige Leitungs- und Schaltverluste für einen hocheffizienten Betrieb in verschiedenen Anwendungen, robuste transiente Zuverlässigkeit und geringe elektromagnetische Störungen bietet.
Enge Parameterverteilung
Hohe Eingangsimpedanz
Kurzschluss-Robustheit
Zusammen mit einer weichen, schnellen Wiederherstellungsdiode
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