Teile-Nr.

Infineon IGBT / 30 A ±20 V, ±30 V max., 650 V 105 W, 3-Pin PG-TO263-3

RS Best.-Nr.:: 215-6648P
Herst. Teile-Nr.:: IKB15N65EH5ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon IGBT / 30 A ±20 V, ±30 V max., 650 V 105 W, 3-Pin PG-TO263-3

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RS Best.-Nr.:: 215-6648P
Herst. Teile-Nr.:: IKB15N65EH5ATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max.	30 A
	Kollektor-Emitter-Spannung	650 V
	Gate-Source Spannung max.	±20 V, ±30 V
	Verlustleistung max.	105 W
	Gehäusegröße	PG-TO263-3
	Pinanzahl	3

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max. 30 A
	Kollektor-Emitter-Spannung 650 V
	Gate-Source Spannung max. ±20 V, ±30 V
	Verlustleistung max. 105 W
	Gehäusegröße PG-TO263-3
	Pinanzahl 3

Datasheet-IKB15N65EH5ATMA1

Der bipolare Infineon Hochgeschwindigkeits-Schalttransistor mit isoliertem Gate, der mit einer Rapid-1-Antiparalleldiode mit vollem Nennstrom kopakt ist, hat außerdem eine Durchschlagsspannung von 650 V.

Hoher Wirkungsgrad
Niedrige Schaltverluste
Erhöhte Zuverlässigkeit
Geringe elektromagnetische Störungen