Infineon IGBT-Modul / 600 A, 1200 V 20 mW, 11-Pin ECONODUAL Typ N-Kanal Oberfläche
- RS Best.-Nr.:
- 218-4341
- Herst. Teile-Nr.:
- FF600R12ME4B72BOSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 218-4341
- Herst. Teile-Nr.:
- FF600R12ME4B72BOSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 600A | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 20mW | |
| Anzahl an Transistoren | 2 | |
| Gehäusegröße | ECONODUAL | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 11 | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.1V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Serie | FF600R12ME4_B72 | |
| Höhe | 20.8mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 152mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 600A | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 20mW | ||
Anzahl an Transistoren 2 | ||
Gehäusegröße ECONODUAL | ||
Montageart Oberfläche | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 11 | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.1V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Serie FF600R12ME4_B72 | ||
Höhe 20.8mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 152mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das Infineon EconoDual Dual IGBT-Modul mit Trenchstop IGBT4-Technologie mit Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V und Kollektorstrom von 600 A. Er wird in der Motorsteuerung und in Antrieben, Solaranwendungen und USV-Systemen, in der industriellen Heizung und beim Schweißen verwendet
Kompakte Module
Einfache und zuverlässigste Montage
Keine Stecker und Kabel erforderlich
Ideal für Systeme mit geringer Induktionsinduktionsmacht
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