Infineon IGBT / 900 A 20V max., 1200 V 20 mW AG-ECONOD N-Kanal

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Herst. Teile-Nr.:
FF900R12ME7B11BOSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

900 A

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Gate-Source Spannung max.

20V

Verlustleistung max.

20 mW

Konfiguration

Dual

Gehäusegröße

AG-ECONOD

Channel-Typ

N

Transistor-Konfiguration

Single & Common Emitter

Das Infineon EconoDUAL TM 3 1200 V, 900 A zweifache Trenchstop ® IGBT7-Modul mit Emitter-gesteuerter 7-Diode, NTC und Pressfit-Kontakttechnologie. Auch erhältlich mit voraufgetragenen thermischen Schnittstellenmaterialien.

Höchste Leistungsdichte
Best-in-Class-VCE-Sat
TVJ op = 175 °C Überlast
Verbesserte Anschlussklemmen
Optimierte Kriechstrecke für 1500-V-PV-Anwendungen

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