Teile-Nr.

Infineon IGBT / 80 A ±20.0V max., 650 V 250 W, 3-Pin PG-TO247-3

RS Best.-Nr.:: 228-6510P
Herst. Teile-Nr.:: AIKW50N65RF5XKSA1
Marke:: Infineon

Infineon IGBT / 80 A ±20.0V max., 650 V 250 W, 3-Pin PG-TO247-3

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RS Best.-Nr.:: 228-6510P
Herst. Teile-Nr.:: AIKW50N65RF5XKSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max.	80 A
	Kollektor-Emitter-Spannung	650 V
	Gate-Source Spannung max.	±20.0V
	Verlustleistung max.	250 W
	Gehäusegröße	PG-TO247-3
	Pinanzahl	3
	Transistor-Konfiguration	Einfach

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max. 80 A
	Kollektor-Emitter-Spannung 650 V
	Gate-Source Spannung max. ±20.0V
	Verlustleistung max. 250 W
	Gehäusegröße PG-TO247-3
	Pinanzahl 3
	Transistor-Konfiguration Einfach

Datasheet-AIKW50N65RF5XKSA1

Der Infineon AIKW50N65RF5 ist ein hybrider Leistungs-diskret mit SiC-Stromversorgungstechnologie mit bester Kosteneffizienz und ist der wichtigste Aspekt für Hilfsanwendungen in Elektrofahrzeugen und Hybridfahrzeugen. Der Hybrid aus 650-V-Trenchstop 5 AUTO-IGBT mit schneller Schaltung und CoolSiC Schottky-Diode für eine kostengünstige Leistungssteigerung für schnell schaltende Kfz-Anwendungen wie Onboard-Ladegerät, PFC, DC/DC und DC/AC.

Schneller Trenchstop 5-IGBT mit Schaltgeschwindigkeit
Erstklassige Effizienz in harten Schalt- und Resonanztopologien
QG mit niedriger Gate-Ladung
Maximale Sperrschichttemperatur: 175 °C.