onsemi Intelligentes Stromversorgungsmodul / 5 A 3-phasig, 600 V 12 W, 29-Pin SIP Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 229-6436
- Herst. Teile-Nr.:
- NFAP0560L3TT
- Marke:
- onsemi
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- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | Intelligentes Stromversorgungsmodul | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 5A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 600V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 12W | |
| Anzahl an Transistoren | 6 | |
| Gehäusegröße | SIP | |
| Konfiguration | 3-phasig | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 29 | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.6V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 44.5mm | |
| Höhe | 5.7mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ Intelligentes Stromversorgungsmodul | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 5A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 600V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 12W | ||
Anzahl an Transistoren 6 | ||
Gehäusegröße SIP | ||
Konfiguration 3-phasig | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 29 | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.6V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 44.5mm | ||
Höhe 5.7mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die on Semiconductor vollständig integrierte Wechselrichter-Leistungsstufe bestehend aus einem Hochspannungstreiber, sechs IGBT und einem Thermistor, geeignet für die Ansteuerung von Permanentmagnet-Synchronmotoren, bürstenlosen Gleichstrommotoren und AC-Asynchronmotoren. Die IGBT sind in einer 3-phasigen Brücke mit separaten Emitteranschlüssen für die unteren Beine konfiguriert, um maximale Flexibilität bei der Auswahl des Steuerungsalgorithmus zu gewährleisten.
Ein hochpräziser Monitor ist möglich
Ein einzelnes Netzteillaufwerk wird durch den Einsatz von Bootstrap-Stromkreisen für obere Netzteile aktiviert
Integrierter Unterspannungsschutz
Die kompakte Größe hilft, die Leiterplattengröße zu reduzieren
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