Infineon IGBT / 35 A, 1200 V 20 mW, 23-Pin Modul N-Kanal Chassis

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RS Best.-Nr.:
232-6706
Herst. Teile-Nr.:
FP35R12N2T7B11BPSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

35A

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Anzahl an Transistoren

7

Maximale Verlustleistung Pd

20mW

Gehäusegröße

Modul

Montageart

Chassis

Kabelkanaltyp

N

Pinanzahl

23

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.6V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

45mm

Serie

FP35R12N2T7_B11

Höhe

21.3mm

Länge

107.5mm

Automobilstandard

Nein

Das dreiphasige PIM-IGBT-Modul EconoPIM 2, 35 A von Infineon wird mit Trenchstop IGBT7, Emitter-gesteuerter 7-Diode, NTC- und Pressfit-Kontakttechnologie geliefert. Das PIM (Power Integrated Modules) mit Integration von Gleichrichter und Brems-Chopper ermöglicht Kosteneinsparungen. Mögliche Anwendungen umfassen Hilfswechselrichter, Motorantriebe und Servoantriebe.

RoHS-konforme Module

Kupfergrundplatte für optimierte Wärmeverteilung

Hohe Leistungsdichte

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