Teile-Nr.

Infineon IGBT-Modul / 600 A ±20V max. Dual, 1200 V AG-62MM N-Kanal

RS Best.-Nr.:: 233-3496
Herst. Teile-Nr.:: FF600R12KT4HOSA1
Marke:: Infineon

Infineon IGBT-Modul / 600 A ±20V max. Dual, 1200 V AG-62MM N-Kanal

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RS Best.-Nr.:: 233-3496
Herst. Teile-Nr.:: FF600R12KT4HOSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max.	600 A
	Kollektor-Emitter-Spannung	1200 V
	Gate-Source Spannung max.	±20V
	Anzahl an Transistoren	2
	Gehäusegröße	AG-62MM
	Konfiguration	Dual
	Channel-Typ	N
	Transistor-Konfiguration	Serie

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max. 600 A
	Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V
	Gate-Source Spannung max. ±20V
	Anzahl an Transistoren 2
	Gehäusegröße AG-62MM
	Konfiguration Dual
	Channel-Typ N
	Transistor-Konfiguration Serie

Datasheet - FF600R12KT4HOSA1

Das Infineon Dual Fast Trench IGBT-Modul mit Trenchstop IGBT4 und Emitter-gesteuerter 4-Diode.

Höchste Leistungsdichte
Flexibilität
Optimale elektrische Leistung
Höchste Zuverlässigkeit

Infineon IGBT-Modul / 600 A ±20V max. Dual, 1200 V AG-62MM N-Kanal

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