STMicroelectronics IGBT / 150 A, 1200 V 750 W, 3-Pin Max247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 234-8892
- Herst. Teile-Nr.:
- STGYA75H120DF2
- Marke:
- STMicroelectronics
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- RS Best.-Nr.:
- 234-8892
- Herst. Teile-Nr.:
- STGYA75H120DF2
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 150A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 750W | |
| Gehäusegröße | Max247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 1MHz | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.6V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 150A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 750W | ||
Gehäusegröße Max247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 1MHz | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.6V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der IGBT von STMicroelectronics wurde mit einer fortschrittlichen proprietären Trench-Gate-Feldanschlagstruktur entwickelt. Dieses Gerät ist Teil der H-Serie von IGBTs, die einen optimalen Kompromiss zwischen Leitungs- und Schaltverlusten darstellen, um den Wirkungsgrad von Hochschaltfrequenzwandlern zu maximieren. Darüber hinaus führen ein leicht positiver VCE(sat)-Temperaturkoeffizient und eine sehr enge Parameterverteilung zu einem sicheren Parallelbetrieb.
Maximale Sperrschichttemperatur TJ = 175°C
5 μs Kurzschlussfestigkeit
VCE(sat) = 2,1 V (typ.) @ IC = 75 A
Enge Parameterverteilung
Positiver VCE(sat)-Temperaturkoeffizient
Niedriger Wärmewiderstand
Antiparallele Diode mit sehr schneller Erholung
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