Infineon IGBT-Modul / 1.6 kA Einfach, 3.3 kV 3600 kW AG-IHVB130
- RS Best.-Nr.:
- 236-5194P
- Herst. Teile-Nr.:
- FZ1600R33HE4BPSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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CHF 1'280.97
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- RS Best.-Nr.:
- 236-5194P
- Herst. Teile-Nr.:
- FZ1600R33HE4BPSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 1.6kA | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 3.3kV | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3600kW | |
| Anzahl an Transistoren | 2 | |
| Konfiguration | Einfach | |
| Gehäusegröße | AG-IHVB130 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 3.25V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC 60747, 60749 and 60068 | |
| Länge | 109.9mm | |
| Höhe | 16.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 1.6kA | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 3.3kV | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3600kW | ||
Anzahl an Transistoren 2 | ||
Konfiguration Einfach | ||
Gehäusegröße AG-IHVB130 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 3.25V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen IEC 60747, 60749 and 60068 | ||
Länge 109.9mm | ||
Höhe 16.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das Infineon-IGBT-Modul mit Einfachschalter verfügt über Trenchstop ® IGBT4 und eine Emitter-gesteuerte 4-Diode. Dieses Modul verfügt über eine hohe Leistungsdichte und eine AlSiC-Grundplatte für erhöhte thermische Schaltleistung.
VCES beträgt 3300 V.
IC-Nom ist 1600 A
ICRM beträgt 3200 A.
Es behält eine hohe Stromdichte bei