onsemi IGBT / 80 A 20V max. 30-fach, 650 V 268 W TO-247-4LD

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RS Best.-Nr.:
241-0729
Herst. Teile-Nr.:
FGHL50T65MQDTL4
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Dauer-Kollektorstrom max.

80 A

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

20V

Verlustleistung max.

268 W

Anzahl an Transistoren

30

Gehäusegröße

TO-247-4LD

Der IGBT von ON Semiconductor mit mittlerer Schaltgeschwindigkeit von 650 V, 50 A FS4. Bietet optimale Leistung durch Ausgleich von Vce(sat) und Eoff-Verlusten und kontrollierbare Turnooff-Vce-Übershoot. Gut geeignet für Solarwechselrichter, USV, EV-Ladestationen, ESS und andere Hochleistungsanwendungen.

Positiver Temperaturkoeffizient
Einfacher Parallelbetrieb
Niedrige Schaltverluste
Niedrige Leitungsverluste

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