onsemi IGBT, 650 V 268 W, 3-Pin TO-247-4LD Oberfläche

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RS Best.-Nr.:
241-0729
Herst. Teile-Nr.:
FGHL50T65MQDTL4
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

268W

Gehäusegröße

TO-247-4LD

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Serie

FGHL50T65MQDT

Höhe

4.82mm

Länge

15.87mm

Breite

20.82 mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der IGBT von ON Semiconductor mit mittlerer Schaltgeschwindigkeit von 650 V, 50 A FS4. Bietet optimale Leistung durch Ausgleich von Vce(sat) und Eoff-Verlusten und kontrollierbare Turnooff-Vce-Übershoot. Gut geeignet für Solarwechselrichter, USV, EV-Ladestationen, ESS und andere Hochleistungsanwendungen.

Positiver Temperaturkoeffizient

Einfacher Parallelbetrieb

Niedrige Schaltverluste

Niedrige Leitungsverluste

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