Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 28 A, 650 V 130 W TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 242-0980P
- Herst. Teile-Nr.:
- IKP28N65ES5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|
| 20 - 48 | CHF 2.303 |
| 50 - 98 | CHF 2.141 |
| 100 - 198 | CHF 2.00 |
| 200 + | CHF 1.838 |
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- RS Best.-Nr.:
- 242-0980P
- Herst. Teile-Nr.:
- IKP28N65ES5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 28A | |
| Produkt Typ | IGBT-Einzel-Transistor-IC | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 130W | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 ±30 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.9V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC47/20/22 | |
| Serie | 5th Generation | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 28A | ||
Produkt Typ IGBT-Einzel-Transistor-IC | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 130W | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 ±30 V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.9V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen JEDEC47/20/22 | ||
Serie 5th Generation | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der 650 V, 28 A IGBT von Infineon mit antiparalleler Diode in TO-220-Gehäuse. Er verfügt über eine hohe Stromdichte, einen hohen Wirkungsgrad, schnellere Markteinführungszyklen, geringere Komplexität des Schaltkreises und eine Optimierung der Leiterplatten-Materialkosten.
Glattes Hochgeschwindigkeitsschaltgerät für hartes und weiches Schalten
175 °C maximale Verbindungstemperatur
Keine Gate-Klemmkomponenten erforderlich