Infineon IGBT-Modul, 1200 V 275 W
- RS Best.-Nr.:
- 244-5370
- Herst. Teile-Nr.:
- F475R06W1E3BOMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 244-5370
- Herst. Teile-Nr.:
- F475R06W1E3BOMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 275W | |
| Anzahl an Transistoren | 4 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 275W | ||
Anzahl an Transistoren 4 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das Infineon IGBT-Modul ist für Hilfswechselrichter, USV-Systeme, induktive Heizungs- und Schweißanwendungen sowie Solaranwendungen usw. geeignet
Elektrische Eigenschaften
Geringe Schaltverluste, geringe induktive Bauweise
Trench-IGBT 3
VCEsat mit positivem Temperaturkoeffizient
Geringe VCEsat
Mechanische Eigenschaften
Al2O3-Substrat mit niedrigem Wärmewiderstand
Kompaktes Design
Lötkontakttechnologie
Robuste Montage durch integrierte Montageklemmen
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