Infineon IGBT-Modul / 100 A +/-20V max. Quad, 600 V 275 W
- RS Best.-Nr.:
- 244-5370P
- Herst. Teile-Nr.:
- F475R06W1E3BOMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 244-5370P
- Herst. Teile-Nr.:
- F475R06W1E3BOMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 100 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V | |
| Gate-Source Spannung max. | +/-20V | |
| Anzahl an Transistoren | 4 | |
| Verlustleistung max. | 275 W | |
| Konfiguration | Emitter-Collector, Quad (2 x Dual) | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 100 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 600 V | ||
Gate-Source Spannung max. +/-20V | ||
Anzahl an Transistoren 4 | ||
Verlustleistung max. 275 W | ||
Konfiguration Emitter-Collector, Quad (2 x Dual) | ||
Das Infineon IGBT-Modul ist für Hilfswechselrichter, USV-Systeme, induktive Heizungs- und Schweißanwendungen sowie Solaranwendungen usw. geeignet
Elektrische Eigenschaften
Geringe Schaltverluste, geringe induktive Bauweise
Trench-IGBT 3
VCEsat mit positivem Temperaturkoeffizient
Geringe VCEsat
Mechanische Eigenschaften
Al2O3-Substrat mit niedrigem Wärmewiderstand
Kompaktes Design
Lötkontakttechnologie
Robuste Montage durch integrierte Montageklemmen
Geringe Schaltverluste, geringe induktive Bauweise
Trench-IGBT 3
VCEsat mit positivem Temperaturkoeffizient
Geringe VCEsat
Mechanische Eigenschaften
Al2O3-Substrat mit niedrigem Wärmewiderstand
Kompaktes Design
Lötkontakttechnologie
Robuste Montage durch integrierte Montageklemmen