Infineon IGBT-Modul, 1200 V 515 W

RS Best.-Nr.:: 244-5379
Herst. Teile-Nr.:: FP100R12KT4BOSA1
Marke:: Infineon

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Herst. Teile-Nr.:: FP100R12KT4BOSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	IGBT-Modul
	Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo	1200V
	Anzahl an Transistoren	7
	Maximale Verlustleistung Pd	515W
	Gate-Emitter-Spannung max. VGEO	20 V
	Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT	2.1V
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	122mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Höhe	17mm
	Serie	FP100R12KT4
	Breite	62mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ IGBT-Modul
	Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V
	Anzahl an Transistoren 7
	Maximale Verlustleistung Pd 515W
	Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V
	Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.1V
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 122mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Höhe 17mm
	Serie FP100R12KT4
	Breite 62mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - FP100R12KT4BOSA1

Infineon FP100R12KT4 Serie IGBT-Modul, 1200 V max. Kollektor-Emitter-Spannung, 515 W maximale Verlustleistung - FP100R12KT4BOSA1

Dieses IGBT-Modul ist eine Hochspannungsschaltkomponente, die für Anwendungen in der Leistungselektronik entwickelt wurde, die eine hohe Spannungsbelastbarkeit und thermische Beständigkeit erfordern. Es ist für die Bewältigung erheblicher Verlustleistung in industriellen Umgebungen ausgelegt und arbeitet in einem breiten Temperaturbereich, wodurch es Kompatibilität bietet, wo keine Alternativen in Automobilqualität erforderlich sind.

Merkmale und Vorteile:

• 1200 V Blockierfähigkeit ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 515 W Verlustleistung für schwere Lasten
• VGE-Grenzwert von 20 V für kontrolliertes Gate-Drive-Design
• VCE(sat) von 2,1 V reduziert Leitungsverluste unter Last
• Sieben-Transistor-Konfiguration mit dichter Schalttopologie
• 150 °C maximale Sperrschicht für Hochtemperaturbetrieb

Anwendungsbereich

• Geeignet für industrielle Motor-Frequenzumrichter-Stufen
• Ideal für Mittelspannungs-Leistungswandler und USV-Systeme
• Einsatz mit Hochleistungs-Schaltarrays in erneuerbaren Wechselrichtern
• Kann für Traktions- und schwere Ausrüstungsmodule verwendet werden

Welche Gate-Drive-Einschränkung sollte beachtet werden?

Das Gerät erfordert Gate-Emitter-Spannungen von nicht mehr als 20 V, um Gate-Schäden zu verhindern.

Wie wirkt sich die thermische Toleranz auf das Kühldesign aus?

Eine maximale Betriebstemperatur von 150 °C ermöglicht kleinere Kühlkörperabstände, erfordert aber dennoch eine ausreichende thermische Schnittstelle und Kühlung für eine kontinuierliche Verlustleistung von 515 W.

Welcher elektrischer Belastung widersteht das Modul während der Blockierung?

Er ist spezifiziert, um Kollektor-Emitter-Spannungen von bis zu 1200 V im Aus-Zustand standzuhalten.

Wie viele Schaltelemente sind im Inneren vorhanden?

Das Modul enthält sieben Transistoren zur Unterstützung von Multi-Switch-Topologien.

Gibt es Materialbeschränkungen bei der Auswahl?

Das Gerät entspricht den RoHS-Anforderungen und schließt daher bestimmte eingeschränkte Stoffe aus.