Teile-Nr.

Infineon IGBT-Modul / 100 A +/-20V max. 7-fach, 1200 V 515 W

RS Best.-Nr.:: 244-5379
Herst. Teile-Nr.:: FP100R12KT4BOSA1
Marke:: Infineon

Infineon IGBT-Modul / 100 A +/-20V max. 7-fach, 1200 V 515 W

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RS Best.-Nr.:: 244-5379
Herst. Teile-Nr.:: FP100R12KT4BOSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max.	100 A
	Kollektor-Emitter-Spannung	1200 V
	Gate-Source Spannung max.	+/-20V
	Anzahl an Transistoren	7
	Verlustleistung max.	515 W

Datasheet - FP100R12KT4BOSA1

Das Infineon IGBT-Modul hat einen maximalen Nennwert für sich wiederholenden Peak Kollektor-Strom von 200 A und eine Kollektor-Emitter-Sättigungsvoltag von 2,20 V, Gate-Schwellenspannung von 6,4 V.

Kollektor-Emitter-Abschaltstrom 1,0 mA
Temperatur unter Schaltbedingungen 150 °C.
Gate-Emitter-Leckstrom 100 nA
Umgekehrte Übertragungskapazität NF

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	Marke Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max. 100 A
	Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V
	Gate-Source Spannung max. +/-20V
	Anzahl an Transistoren 7
	Verlustleistung max. 515 W

Infineon IGBT-Modul / 100 A +/-20V max. 7-fach, 1200 V 515 W

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