Infineon IGBT-Modul, 1200 V 130 W
- RS Best.-Nr.:
- 244-5387P
- Herst. Teile-Nr.:
- FP15R12W1T4BOMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 244-5387P
- Herst. Teile-Nr.:
- FP15R12W1T4BOMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Anzahl an Transistoren | 7 | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 130W | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.25V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 33.8mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 12mm | |
| Länge | 62.8mm | |
| Serie | FP15R12W1T4B | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Anzahl an Transistoren 7 | ||
Maximale Verlustleistung Pd 130W | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.25V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 33.8mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 12mm | ||
Länge 62.8mm | ||
Serie FP15R12W1T4B | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon FP15R12W1T4B Serie IGBT-Modul, 1200 V Kollektor-Emitter-Spannung, 130 W Verlustleistung - FP15R12W1T4BOMA1
Dieses IGBT-Modul ist eine Leistungshalbleiterbaugruppe, die zum Schalten und Steuern von Hochspannungs-Gleichstromlasten in der industriellen Leistungselektronik entwickelt wurde. Er bietet kontrollierte Schaltfunktionen für anspruchsvolle thermische und elektrische Umgebungen, arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und entspricht den RoHS-Anforderungen.
Merkmale und Vorteile:
• Vceo-Nennspannung von 1200 V ermöglicht Hochspannungsschaltfunktionen
• Die Verlustleistung von bis zu 130 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• Gate-Emitter-Beständigkeit bis zu 20 V unterstützt robuste Gate-Drive-Margen
• Kollektor-Emitter-Sättigung von 2,25 V reduziert Leitungsverluste
• Sieben Transistoren ermöglichen das Schalten mehrerer Geräte in einem Gehäuse
• Die Verlustleistung von bis zu 130 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• Gate-Emitter-Beständigkeit bis zu 20 V unterstützt robuste Gate-Drive-Margen
• Kollektor-Emitter-Sättigung von 2,25 V reduziert Leitungsverluste
• Sieben Transistoren ermöglichen das Schalten mehrerer Geräte in einem Gehäuse
Anwendungsbereich
• Geeignet für industrielle Motor-Frequenzumrichter-Stufen
• Wird mit Hochspannungs-DC/DC-Wandlungssystemen verwendet
• Ideal für Leistungsfaktorkorrektur und Soft-Switching-Stufen
• Kann für Schaltnetzteile in Versorgungsunternehmen verwendet werden
• Wird für mittelfrequente Traktions- und industrielle Wandler verwendet
• Wird mit Hochspannungs-DC/DC-Wandlungssystemen verwendet
• Ideal für Leistungsfaktorkorrektur und Soft-Switching-Stufen
• Kann für Schaltnetzteile in Versorgungsunternehmen verwendet werden
• Wird für mittelfrequente Traktions- und industrielle Wandler verwendet
In welchen Umgebungstemperaturen kann er zuverlässig funktionieren?
Er funktioniert bei Temperaturen von -40 °C bis 150 °C.
Wie reagiert das Modul auf Beschränkungen bei gefährlichen Substanzen?
Es wird hergestellt, um die RoHS-Konformität für eingeschränkte Materialien zu erfüllen.
Was ist auf den Platzbedarf bei der Montage im Außenbereich zu achten?
Das Gehäuse misst 33,8 x 62,8 x 12 mm für die Grundfläche und Höhenplanung.
Wie viele Halbleiterschalter sind in das Gehäuse integriert?
Die Konstruktion umfasst sieben einzelne Transistoren.
Welche Leitfähigkeit kann unter Last erwartet werden?
Erwarten Sie eine maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung von 2,25 V während der Leitung.