Infineon IGBT-Modul / 150 A +/-20V max. 6-fach, 1200 V 750 W
- RS Best.-Nr.:
- 244-5408P
- Herst. Teile-Nr.:
- FS150R12KT4B11BOSA1
- Marke:
- Infineon
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CHF.334.362
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 2 - 2 | CHF.167.18 |
| 3 + | CHF.150.47 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 244-5408P
- Herst. Teile-Nr.:
- FS150R12KT4B11BOSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 150 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V | |
| Gate-Source Spannung max. | +/-20V | |
| Anzahl an Transistoren | 6 | |
| Verlustleistung max. | 750 W | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 150 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V | ||
Gate-Source Spannung max. +/-20V | ||
Anzahl an Transistoren 6 | ||
Verlustleistung max. 750 W | ||
Das Infineon IGBT-Modul hat einen maximalen Nennwert von wiederholtem Peak Kollektor-Strom von 300 A und eine Kollektor-Emitter-Sättigungsvoltag von 2,10 V, Gate-Schwellenspannung von 6,4 V.
Kollektor-Emitter-Abschaltstrom 1,0 mA
Temperatur unter Schaltbedingungen 150 °C.
Gate-Emitter-Leckstrom 100 nA
Umgekehrte Übertragungskapazität NF
Temperatur unter Schaltbedingungen 150 °C.
Gate-Emitter-Leckstrom 100 nA
Umgekehrte Übertragungskapazität NF