Infineon IGBT-Modul / 450 A, 1200 V 1600 W
- RS Best.-Nr.:
- 244-5825P
- Herst. Teile-Nr.:
- FF300R12KT4HOSA1
- Marke:
- Infineon
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- 244-5825P
- Herst. Teile-Nr.:
- FF300R12KT4HOSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 450A | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Anzahl an Transistoren | 2 | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1600W | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.15V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 61.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Serie | FF | |
| Länge | 106.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 450A | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Anzahl an Transistoren 2 | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1600W | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.15V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 61.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Serie FF | ||
Länge 106.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
FF-IGBT-Modul von Infineon, 1200 V Kollektor-Emitter-Spannung, 450 A Kollektorstrom – FF300R12KT4HOSA1
Dieses IGBT-Modul ist ein Leistungshalbleitergerät, das zum Schalten und Steuern von Hochspannungs-Gleichstromkreisen in industriellen Stromversorgungssystemen entwickelt wurde. Er kombiniert zwei Transistoren in einem einzigen Gehäuse, um hohe Stromlasten zu bewältigen, und arbeitet über einen breiten Temperaturbereich, der für anspruchsvolle thermische Umgebungen geeignet ist.
Merkmale und Vorteile:
• 1200 V Blockierfähigkeit für Hochspannungsschaltanwendungen
• 450 A kontinuierlicher Kollektorstrom zur Unterstützung hoher Stromanforderungen
• Maximale Verlustleistung von 1600 W für dauerhaften Betrieb mit hoher Leistung
• Niedrige Vce(sat) von 2,15 V für geringere Leitungsverluste
• Maximale Gate-Emitter-Nennleistung von 20 V zur Definition von sicheren Antriebsgrenzwerten
• Betriebstemperatur bis zu 175 °C für Installationen mit erhöhter Temperatur
• 450 A kontinuierlicher Kollektorstrom zur Unterstützung hoher Stromanforderungen
• Maximale Verlustleistung von 1600 W für dauerhaften Betrieb mit hoher Leistung
• Niedrige Vce(sat) von 2,15 V für geringere Leitungsverluste
• Maximale Gate-Emitter-Nennleistung von 20 V zur Definition von sicheren Antriebsgrenzwerten
• Betriebstemperatur bis zu 175 °C für Installationen mit erhöhter Temperatur
Anwendungsbereich
• Geeignet für Hochspannungs-Motorantriebssysteme
• Ideal für industrielle Wechselrichter, die hohe Ströme erfordern
• Kann für Wandlerstufen für erneuerbare Energien verwendet werden
• Wird mit Netzteilen verwendet, die kompakte Dual-Transistoren benötigen
• Anwendbar in Umgebungen der Traktions- oder Versorgungselektronik
• Ideal für industrielle Wechselrichter, die hohe Ströme erfordern
• Kann für Wandlerstufen für erneuerbare Energien verwendet werden
• Wird mit Netzteilen verwendet, die kompakte Dual-Transistoren benötigen
• Anwendbar in Umgebungen der Traktions- oder Versorgungselektronik
Welche Transistorkonfiguration bietet er?
Es enthält zwei aufeinander abgestimmte Transistoren in einem einzigen Modul, die synchrone oder komplementäre Schaltanordnungen ermöglichen.
Welchen extremen Umgebungsbedingungen kann er standhalten?
Er ist für den Betrieb bis zu -40 °C und bis zu 175 °C ausgelegt und eignet sich für den Einsatz in weiten Temperaturbereichen.
Wie wirkt sich die Begrenzung des Gate-Emitters auf die Antriebsschaltkreise aus?
Die Gate-Emitter-Grenzspannung von 20 V definiert die maximal zulässige Gate-Drive-Spannung und bestimmt den erforderlichen Gate-Drive-Schutz und die Pegelverschiebung.
Welche elektrischen Belastungsgrenzwerte sollten Entwickler beachten?
Die Entwickler müssen bei der Planung des Wärmemanagements einen Kollektor-Emitter-Sperrschwellenwert von 1200 V und eine Gehäusedeckel von 1600 W berücksichtigen.