onsemi IGBT-Modul 74 W F1-4PACK Oberfläche
- RS Best.-Nr.:
- 245-6960P
- Herst. Teile-Nr.:
- NXH040F120MNF1PTG
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- RS Best.-Nr.:
- 245-6960P
- Herst. Teile-Nr.:
- NXH040F120MNF1PTG
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 74W | |
| Anzahl an Transistoren | 4 | |
| Gehäusegröße | F1-4PACK | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 1200 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Serie | NXH040F120MNF1PTG | |
| Länge | 48.8mm | |
| Höhe | 12.35mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Maximale Verlustleistung Pd 74W | ||
Anzahl an Transistoren 4 | ||
Gehäusegröße F1-4PACK | ||
Montageart Oberfläche | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 1200 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Serie NXH040F120MNF1PTG | ||
Länge 48.8mm | ||
Höhe 12.35mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das on Semiconductor F1 4PACK SiC MOSFET-Modul ist ein Leistungsmodul mit einer 40 m/1200 V SiC MOSFET-Vollbrücke und einem Thermistor in einem F1-Gehäuse.
40 m/1200 V SiC MOSFET-Halbbrücken-Thermistor
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